[发明专利]光纤珐珀应变传感器、传感系统及传感器制作方法

权利要求书

1.光纤珐珀应变传感器，其特征在于，包括相互熔接的两段光纤(1)和(2)，光纤(1)上与光纤(2)熔接的一端具有圆孔，圆孔与光纤(1)和(2)形成非本征型珐珀腔；所述光纤(2)的另一端平整，并具有测温镀膜层，所述测温镀膜层为砷化镓镀膜、磷化镓镀膜或硅镀膜之一。

2.根据权利要求1所述的光纤珐珀应变传感器，其特征在于，光纤为单模光纤。

3.根据权利要求2所述的光纤珐珀应变传感器，其特征在于，测温镀膜层的厚度为100-300nm。

4.根据权利要求1-3之任一项权利要求所述的光纤珐珀应变传感器，其特征在于，光纤(1)和(2)截取自同一光纤。

5.光纤珐珀应变传感系统，其特征在于，包括由2×1耦合器连接的光纤珐珀应变传感器、光源和解调器，其连接关系满足光源发出的光经耦合器后传输至传感器，并经传感器反射回耦合器，反射光经耦合器传输至用于处理反射光的解调器。

6.光纤珐珀应变传感器制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、加工光纤(1)，将其一端切割平整，在平整的端面加工圆孔；

S2、截取与光纤(1)相同的光纤(2)，将其一端切割平整后与光纤A熔接形成非本征型珐珀腔；

S3、将距离珐珀腔10㎝处光纤(1)或(2)的另一端切割平整，并使用研磨机研磨处理；

S4、对经研磨处理后的光纤端镀上测温镀膜层。

7.根据权利要求6所述的光纤珐珀应变传感器制作方法，其特征在于，测温镀膜层具体为砷化镓镀膜、磷化镓镀膜或硅镀膜之一。

8.根据权利要求6或7所述的光纤珐珀应变传感器制作方法，其特征在于，步骤S4中砷化镓薄膜的厚度为100nm。

9.根据权利要求8所述的光纤珐珀应变传感器制作方法，其特征在于，步骤S4的具体方法为：使用溅射离子镀膜设备在真空环境下用高能离子轰击砷化镓靶材，使靶材表面的离子获得能量并逸出表面，并沉积于所述研磨处理后的光纤端，形成砷化镓薄膜。