[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201510125831.6 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN104733474B 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 胡伟;朴承翊;代科;朱亚文;莫再隆 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括基板,所述基板上设有第一电极层和第二电极层,所述第一电极层和所述第二电极层之间设有电极绝缘层,其特征在于,所述电极绝缘层中设有沟槽,所述沟槽位于所述第一电极层的靠近所述第二电极层的靠近侧,所述沟槽上设有能够屏蔽所述第一电极层和所述第二电极层之间耦合电容的屏蔽层,所述屏蔽层与所述第一电极层和所述第二电极层绝缘,且所述屏蔽层接地;

所述阵列基板还包括公共电极层,所述屏蔽层通过与所述公共电极层连接进行接地;

所述第一电极层为源电极层,所述第二电极层为像素电极层,所述电极绝缘层覆盖在所述源电极层和所述公共电极层上,所述像素电极层位于所述电极绝缘层上;所述沟槽暴露出部分所述公共电极层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述电极绝缘层延伸到所述第一电极层的上方,且所述屏蔽层也延伸到所述第一电极层的上方。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述电极绝缘层进一步延伸到所述第一电极层的远离所述第二电极层的远离侧,且所述远离侧的电极绝缘层中也设有沟槽,所述屏蔽层进一步延伸到所述第一电极层的远离所述第二电极层的远离侧的沟槽上。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述电极绝缘层还位于所述第一电极层的远离所述第二电极层的远离侧,且所述远离侧的电极绝缘层中也设有沟槽,所述屏蔽层还位于所述第一电极层的远离所述第二电极层的远离侧的沟槽上。

5.一种显示装置,其特征在于,包含权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制作方法,包括:

在基板上沉积第一电极薄膜,通过构图工艺形成第一电极层的图形;

在所述基板上沉积第二电极薄膜,通过构图工艺形成第二电极层的图形;

在所述基板上沉积电极绝缘层薄膜,通过构图工艺形成电极绝缘层的图形,所述电极绝缘层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间,所述电极绝缘层中设有沟槽,所述沟槽位于所述第一电极层的靠近所述第二电极层的靠近侧;

在形成有所述电极绝缘层的基板上沉积屏蔽层薄膜,通过构图工艺形成屏蔽层的图形,所述屏蔽层位于所述沟槽中,所述屏蔽层与所述第一电极层和所述第二电极层绝缘,且所述屏蔽层接地;

所述第一电极层为源电极层,所述第二电极层为像素电极层;所述制作方法还包括在所述基板上形成公共电极层,具体为:

在所述基板上形成源电极层和公共电极层;

在形成有源电极层和公共电极层的基板上沉积电极绝缘层薄膜,通过构图工艺形成电极绝缘层的图形,所述电极绝缘层覆盖在所述源电极层和所述公共电极层上,所述电极绝缘层中设有沟槽,所述沟槽暴露出部分所述公共电极层;

在形成有所述电极绝缘层的基板上沉积屏蔽层薄膜,通过构图工艺形成屏蔽层的图形,所述屏蔽层位于所述沟槽中,所述屏蔽层与所述源电极层和所述像素电极层绝缘,且所述屏蔽层通过与所述公共电极层连接进行接地;

在形成有所述电极绝缘层的基板上形成所述像素电极层。

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