[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201510125857.0 | 申请日: | 2015-03-20 |
公开(公告)号: | CN104934393B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 宫泽雅臣;田畑光晴;高桥卓也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 延伸设置 电极 内壁 半导体装置 缩窄 电感 彼此相对 设计变更 引出位置 连接点 凹部 减小 壳体 变更 | ||
1.一种半导体装置,其具有:
基板,其搭载有半导体元件;
电极,其与所述半导体元件电连接;以及
壳体,其覆盖所述电极的除了上部以外的剩余的部分、以及所述基板,
所述电极的所述剩余的部分包含延伸设置部分,该延伸设置部分进行延伸设置,直至两端进入至分别设置于所述壳体的在横向上彼此相对的第1以及第2内壁处的第1以及第2凹部中为止,
所述延伸设置部分的所述两端进入的程度设定为,
在通过将所述延伸设置部分的所述两端向它们之间的中心缩窄而将所述两端之间的距离设为缩窄之前的所述两端之间的距离的70%的情况下的所述两端的位置包含于,在将所述第1以及第2内壁分别以所述第1以及第2内壁之间的距离的10%向它们之间的中心缩窄的情况下的所述第1以及第2内壁的位置之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述延伸设置部分的所述两端通过与所述第1以及第2内壁的所述第1以及第2凹部嵌合,从而固定于所述第1以及第2内壁。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述延伸设置部分具有板形状,也在高度方向上延伸设置。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述基板的外缘部固定于所述壳体的内缘部。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
多个所述电极的所述延伸设置部分彼此隔开5mm以内的间隔而配置。
6.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述电极通过超声波金属接合而与连接有所述半导体元件的所述基板上的电路图案接合。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述延伸设置部分在从高度方向观察时具有曲线形状。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述延伸设置部分的所述两端活动嵌合在所述第1以及第2凹部中。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述延伸设置部分的上端以及下端的至少某一个的一部分缺失。
10.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述延伸设置部分的上端以及下端的至少某一个,向与高度方向以及所述延伸设置部分的延伸设置方向垂直的方向弯折。
11.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述延伸设置部分在从所述延伸设置部分的延伸设置方向观察时具有曲线形状。
12.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
还具有绝缘性的填充材料,该绝缘性的填充材料填充在所述壳体内,将所述延伸设置部分的高度方向的长度的大于或等于50%埋入。
13.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
在至少一个所述电极设有将与除了该至少一个所述电极以外的所述电极相对的面露出的镀层。
14.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
一个所述延伸设置部分分别与多个所述半导体元件电连接。
15.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第1以及第2凹部在上侧具有能够使所述延伸设置部分的所述两端通过的开口,
所述壳体具有:
周壁部,其包含所述第1以及第2内壁;以及
盖部,其能够相对于所述周壁部的上部进行拆装,与所述周壁部协同而覆盖所述剩余的部分和所述基板,
在将所述盖部从所述周壁部拆下的情况下,所述第1以及第2凹部的所述开口露出,
在所述延伸设置部分的除了所述两端以外的部分处设有用于插入工具的孔。
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