[发明专利]空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模

权利要求书

1.一种空白掩模，包括：

设置在透明衬底上的遮光膜；

设置在所述遮光膜的顶表面上的硬膜；以及

保护膜，被安置在所述遮光膜与所述硬膜之间并且被配置成用于防止所述保护膜下方的所述遮光膜由于为了去除所述保护膜上方的所述硬膜所用的蚀刻物质而遭到损坏，

其中所述保护膜由含有硅、氧、碳以及氮的化合物形成，且在所述化合物中，硅含量在20原子％到80原子％的范围内，氧含量在20原子％到80原子％的范围内，碳和氮的合计含量在0原子％到60原子％的范围内。

2.一种空白掩模，包括：

设置在透明衬底上的相移膜；以及

设置在所述相移膜的顶表面上的遮光膜，

其中所述空白掩模还包括保护膜，所述保护膜被安置在所述相移膜与所述遮光膜之间并且被配置成用于防止所述保护膜下方的所述相移膜由于为了去除所述保护膜上方的所述遮光膜所用的蚀刻物质而遭到损坏，

其中所述保护膜由含有硅、氧、碳以及氮的化合物形成，且在所述化合物中，硅含量在20原子％到80原子％的范围内，氧含量在20原子％到80原子％的范围内，碳和氮的合计含量在0原子％到60原子％的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的空白掩模，其中所述遮光膜由至少一种由铬、钼、钛、钽、钨、锡以及铪组成的群组中选出的金属材料制成，或除了所述金属材料以外，还包括至少一种由硅、氧、碳以及氮组成的群组中选出的材料，所述遮光膜由含有硅的化合物制成，并且所述金属材料的含量对硅的含量的比率在0.01到0.3的范围内。

4.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述保护膜相对于所述硬膜具有10或大于10的蚀刻选择性，并且通过用于去除所述遮光膜的相同蚀刻物质蚀刻。

5.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述保护膜充当抗反射层。

6.根据权利要求2所述的空白掩模，其中所述保护膜相对于所述遮光膜具有10或大于10的蚀刻选择性，并且通过用于去除所述相移膜的相同蚀刻物质蚀刻。

7.根据权利要求2所述的空白掩模，其中所述保护膜充当相移层。

8.根据权利要求1或2所述的空白掩模，其中所述保护膜具有0.5nm到20nm的厚度，并且具有一种由单层膜结构、多层膜结构以及连续膜结构组成的群组中选出的结构。

9.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述硬膜具有2nm到10nm的厚度。

10.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述硬膜由至少一种由铬、硅、钼以及钽组成的群组中选出的材料制成，或除了所述材料以外，还包括至少一种由氧、碳以及氮组成的群组中选出的轻元素。

11.根据权利要求2所述的空白掩模，还包括设置在所述遮光膜上的硬膜。

12.根据权利要求2所述的空白掩模，其中所述相移膜由包括至少一种由氧、氮、碳以及硼组成的群组中选出的轻元素的硅化钼化合物制成，并且具有钼、硅以及所述轻元素分别以0.3原子％到10原子％、10原子％到80原子％以及20原子％到60原子％的含量存在的组成比率。

13.一种光掩模，使用权利要求1或2所定义的空白掩模制造。