[发明专利]一种硅基SERS多功能芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510126218.6 申请日: 2015-03-23
公开(公告)号: CN104697977A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 何耀;王后禹 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 sers 多功能 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种硅基SERS多功能芯片的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:

(1)首先将硅晶片依次用去离子水、丙酮、去离子水进行超声清洗,再放入浓硫酸和过氧化氢混合溶液进一步清洗,然后再用去离子水清洗,得到干净的硅晶片;

(2)将步骤(1)清洗干净的硅晶片置入氟化氢溶液中进行振荡反应,得到表面覆盖大量硅-氢键的硅晶片;

(3)将步骤(2)得到的硅晶片放入硝酸银和氟化氢的混合溶液中振荡反应,得到表面均匀的原位生长一层银纳米粒子的硅晶片;

(4)将步骤(3)得到的银纳米粒子修饰的硅晶片放入含有细菌连接分子的溶液中震荡反应,在银纳米颗粒表面修饰上细菌连接分子;

(5)将步骤(4)得到的材料取出,去离子水洗涤后氮气吹干,得到AgNPs@Si修饰上细菌连接分子的硅基SERS多功能芯片。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的硅晶片为0.01~20Ω*cm的p型或n型硅晶片,尺寸为0.25~10cm2

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的过氧化氢溶液质量浓度为10~40%,浓硫酸和过氧化氢体积比=1:(0.01~100)。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的氟化氢溶液质量浓度为1~40%。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:将步骤(1)清洗干净的硅晶片置入氟化氢溶液中进行振荡反应1~60分钟。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的硝酸银溶液浓度为1~5M,氟化氢溶液质量浓度为1~40%,硝酸银溶液和氟化氢溶液体积比=1:(0.01~100)。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于:将步骤(2)得到的硅晶片放入硝酸银和氟化氢的混合溶液中振荡反应1~60分钟。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的细菌连接分子为4-巯基苯硼酸或万古霉素,其浓度为0.01~100mM。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于:将步骤(3)得到的银纳米粒子修饰的硅晶片放入细菌连接分子的溶液中振荡反应1~24小时。

10.一种硅基SERS多功能芯片,其特征在于:由权利要求1~9任一项所述的制备方法制备而成。

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