[发明专利]一种检测接触孔过度刻蚀的方法

权利要求书

1.一种检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于包括：

根据芯片上栅极之间的最小栅间距在晶圆上设计器件结构，其中在P型的晶圆衬底上等间距的排列栅极，而在栅极之间通过离子注入使其成为N型阱；

将设计的器件结构中的栅极之间距离缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构；

排布多个不同器件结构置于晶圆的切割道上，然后再在其上面通过刻蚀形成接触孔；

将金属钨接触孔形成之后的晶圆置于电子束检测的设备中进行检测，与最小器件尺寸比较以确定过度刻蚀的工艺窗口范围。

2.根据权利要求1所述的检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于，其中将设计的器件结构中的栅极之间距离等比例缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构。

3.根据权利要求1或2所述的检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于，其中将设计的器件结构中的栅极之间距离等值地缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构。

4.根据权利要求1或2所述的检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于，其中所述特定比例为50％。

5.根据权利要求1或2所述的检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于，其中将最小栅极距离的接触孔亮度值定义为标准值，其他被检测的接触孔的亮度值与标准值比较以得到一个亮度差值，并通过所述亮度差值的大小来确定漏电的情况，从而获取过度刻蚀的情况。

6.一种检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于包括：

根据芯片上栅极之间的最小栅间距在晶圆上设计器件结构，其中在N型的晶圆衬底上等间距的排列栅极，在栅极之间通过离子注入使其成为P型阱；

将设计的器件结构中的栅极之间距离缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构；

排布多个不同器件结构置于晶圆的切割道上，然后再在其上面通过刻蚀形成接触孔；

将金属钨接触孔形成之后的晶圆置于电子束检测的设备中进行检测，与最小器件尺寸比较以确定过度刻蚀的工艺窗口范围。

7.根据权利要求6所述的检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于，其中将设计的器件结构中的栅极之间距离等比例缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构。

8.根据权利要求6或7所述的检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于，其中将设计的器件结构中的栅极之间距离等值地缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构。

9.根据权利要求6或7所述的检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于，其中所述特定比例为50％。

10.根据权利要求6或7所述的检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于，其中将最小栅极距离的接触孔亮度值定义为标准值，其他被检测的接触孔的亮度值与标准值比较以得到一个亮度差值，并通过所述亮度差值的大小来确定漏电的情况，从而获取过度刻蚀的情况。