[发明专利]避免虚假错误的光学临近修正检查方法有效
| 申请号： | 201510126620.4 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104716068B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王丹;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 避免 虚假 错误 光学 临近 修正 检查 方法 | ||
1.一种避免虚假错误的光学临近修正检查方法，其特征在于包括：设置原始的静态随机存储标记层，并且利用原始的静态随机存储标记层来执行第一次光学临近修正检查，并获取第一次光学临近修正的检查结果；随后对原始的静态随机存储标记层进行修改以获取变化的静态随机存储标记层，并且利用变化的静态随机存储标记层来执行第二次光学临近修正检查，并获取第二次光学临近修正的检查结果；比较第一次光学临近修正的检查结果和第二次光学临近修正的检查结果，以去除光学临近修正检查结果中的虚假错误，获取最终光学临近修正检查结果。
2.根据权利要求1所述的避免虚假错误的光学临近修正检查方法，其特征在于，对原始的静态随机存储标记层进行修改包括：将原始的静态随机存储标记层的尺寸扩大。
3.根据权利要求2所述的避免虚假错误的光学临近修正检查方法，其特征在于，变化的静态随机存储标记层完全覆盖原始的静态随机存储标记层。
4.根据权利要求1所述的避免虚假错误的光学临近修正检查方法，其特征在于，对原始的静态随机存储标记层进行修改包括：将原始的静态随机存储标记层的尺寸缩小。
5.根据权利要求4所述的避免虚假错误的光学临近修正检查方法，其特征在于，原始的静态随机存储标记层完全覆盖变化的静态随机存储标记层。
6.根据权利要求1或2所述的避免虚假错误的光学临近修正检查方法，其特征在于，比较第一次光学临近修正的检查结果和第二次光学临近修正的检查结果，以去除光学临近修正检查结果中的虚假错误，获取最终光学临近修正检查结果包括：将第一次光学临近修正的检查结果和第二次光学临近修正的检查结果中均存在的真正错误提取出来，以组成最终光学临近修正检查结果。
7.根据权利要求1或2所述的避免虚假错误的光学临近修正检查方法，其特征在于，所述避免虚假错误的光学临近修正检查方法用于包含静态随机存储标记层的光学临近修正检查。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
