[发明专利]一种聚噻吩基低密度复合导电浆料及其制备方法无效
| 申请号： | 201510126897.7 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN104882187A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 邱辉 | 申请（专利权）人： | 江西九鹏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/12 | 分类号： | H01B1/12;H01B13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 331800 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 噻吩 密度 复合 导电 浆料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种聚噻吩基低密度复合导电浆料及其制备方法，其特征在于该导电浆料由成膜物质、碳酸钙/铜复合空心球、聚噻吩、消泡剂、润湿分散剂和有机溶剂组成，各组份的重量百分比为：
2.根据权利要求1所述的一种聚噻吩基低密度复合导电浆料及其制备方法，其特征在于成膜物质采用氟碳树脂或者环氧树脂或者丙烯酸树脂之一种。
3.根据权利要求1所述的一种聚噻吩基低密度复合导电浆料及其制备方法，其特征在于用聚噻吩和碳酸钙/铜复合空心球共同作为导电填料。
4.根据权利要求1所述的一种聚噻吩基低密度复合导电浆料及其制备方法，其特征在于采用有机溶剂作为溶剂。
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