[发明专利]具有静电防护结构的触控电路以及触控面板在审
申请号: | 201510127724.7 | 申请日: | 2015-03-23 |
公开(公告)号: | CN104765490A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 郝宁;赵青晖;王彦腾 | 申请(专利权)人: | 小米科技有限责任公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 张所明 |
地址: | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 静电 防护 结构 电路 以及 面板 | ||
技术领域
本公开涉及电子设备制造领域,特别涉及一种具有静电防护结构的触控电路以及触控面板。
背景技术
目前,触控面板大多由ITO(Indium Tin Oxid,氧化铟锡)材料制成,但由ITO材料制成的触控面板的抗静电的能力较弱,如何防止静电击伤触控面板成为了亟待解决的问题。
当前的解决方案是通过在触控面板的连接器处添加静电防护器件,将电荷阻隔于ITO触控面板之外。
发明内容
本公开提供一种具有静电防护结构的触控电路以及触控面板。所述技术方案如下:
根据本公开实施例的第一方面,提供一种具有静电防护结构的触控电路,所述触控电路包括:信号传输通道和接地通道;
所述信号传输通道的末端设置有向外凸起的具有针尖状顶端的第一尖端结构;
所述接地通道上设置有针尖状顶端与所述第一尖端结构的针尖状顶端相对的第二尖端结构;
所述信号传输通道上的第一尖端结构的针尖状顶端用于聚集所述信号传输通道上的静电荷,并将聚集后的所述静电荷释放到与所述第一尖端结构相对的位于所述接地通道上的第二尖端结构上。
根据本公开实施例的第二方面,提供一种触控面板,所述触控面板包括如本公开实施例的第一方面所描述的触控电路。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
通过由信号传输通道的末端的第一尖端结构聚集静电荷,并将聚集的静电荷释放到与该第一尖端结构相对的位于接地通道上的第二尖端结构上;由于能够通过将静电荷释放到接地通道上来消除静电对触控电路的伤害,因此解决了添加静电防护器件只是将静电荷进行阻隔,当聚集的静电荷过多时同样会对触控电路造成伤害的问题;达到了提高触控电路的抗静电性能的效果。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并于说明书一起用于解释本公开的原理。
图1A是根据一示例性实施例示出的一种具有静电防护结构的触控电路的结构示意图;
图1B是根据一示例性实施例示出的一种第一尖端结构处的静电荷释放到第二尖端结构的示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
图1A是根据一示例性实施例示出的一种具有静电防护结构的触控电路的结构示意图,如图1A所示,该触控电路包括:信号传输通道101和接地通道102。
信号传输通道101的末端设置有向外凸起的具有针尖状顶端的第一尖端结构103;
接地通道102上设置有针尖状顶端与第一尖端结构103的针尖状顶端相对的第二尖端结构104;
这里的第一尖端结构103和第二尖端结构104可以是三角形或其他具有针尖状顶端的结构。第一尖端结构103处于信号传输通道101的末端处,第二尖端结构104处于接地通道102上,第一尖端结构103的针尖状顶端与第二尖端结构104的针尖状顶端是相对的,并由此组成一个用于释放静电的尖端组。每条信号传输通道101与接地通道102之间都设置有该尖端组。通常,触控电路中的第一尖端结构103的数量与第二尖端结构104的数量相等。
在实际实现时,信号传输通道101可以为一个、两个或多个,接地通道102可以为一个、两个或多个,本实施例对信号传输通道101的数量以及接地通道102的数量不作限定。
相对的一组第一尖端结构103和第二尖端结构104中,第一尖端结构103的针尖状顶端指向第二尖端结构104的针尖状顶端。
可选的,第一尖端结构103也可以处在信号传输通道101上的其他位置,本实施例对此不作限定。
由静电场电势分布公式得知,静电场中电荷密度σ与曲率半径R有着反比例关系,在不同的曲率下,电荷通常分布在曲率较大的地方。也就是说,根据静电场分布,单一导体在相同情况下,曲率较大的位置更易集聚电荷。因此,在触控电路中的某条电路通道上,具有针尖状顶端的尖端结构处的曲率较大,能够聚集更多的静电荷。
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