[发明专利]硅片正背面图形高精度转移的方法

权利要求书

1.一种硅片正背面图形转移的方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)在第一光刻板上形成对位标记A及测量标记M，在距离上述对位标记A和测量标记M水平距离为X，垂直距离为Y的位置处，复制同样的对位标记和测量标记，形成复制的对位标记A1和复制的测量标记M1，利用所述第一光刻板在硅片的第一表面上蚀刻形成与所述对位标记A、测量标记M、复制的对位标记A1和复制的测量标记M1对应的标记图形、以及其他蚀刻图形；

(2)在第二光刻板上形成与所述第一光刻板上的所述复制的对位标记A1和所述复制的测量标记M1的位置对应的转移的对位标记A1r和转移的测量标记M1r，以硅片第一表面的所述复制的对位标记A1所对应的标记图形作为对位基准，进行正/背面图形转移曝光，在硅片的第二面上形成与所述转移的对位标记A1r和所述转移的测量标记M1r对应的标记图形；测出所述转移的测量标记M1r对应的标记图形和所述复制的测量标记M1对应的标记图形之间的水平方向对位偏移X1和垂直方向对位偏移Y1；

(3)利用需要正/背面图形转移的光刻板对硅片的第二面进行曝光，该需要正/背面图形转移的光刻板上的对位标记与所述第一光刻版的对位标记A的位置相同，并且，该需要正/背面图形转移的光刻板上的图形与所述第一光刻版上的图形对应；在对位过程中以硅片第二面上的所述转移的对位标记A1r对应的标记图形为基准，进行位移的预补，预补的水平位移Tx＝-X+X1，垂直位移Ty＝-Y+Y1；

(4)对位并曝光后利用蚀刻工艺对硅片的第二面进行蚀刻，在硅片的第二表面上形成与该需要正/背面图形转移的光刻板上的对位标记对应的标记图形，以及与硅片第一表面的所述其他蚀刻图形对应的转移图形。

2.如权利要求1所述的硅片正背面图形转移的方法，其特征在于，

在步骤(2)中的曝光为接触式曝光；

在步骤(3)中的曝光为投影式曝光。

3.如权利要求1所述的硅片正背面图形转移的方法，其特征在于，

所述第一面为硅片的正面，所述第二面为硅片的背面；

或者，所述第一面为硅片的背面，所述第二面为硅片的正面。