[发明专利]风化基岩消落带陆生水长植树方法

权利要求书

1.一种风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征是根据水位涨落梯度，在陆地上培育相应规格控根容器大苗，完成陆生，然后在风化基岩消落带（2）上挖定植穴直接种植，完成水长。

2.根据权利要求1所述的风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征在于所述的相应规格控根容器大苗，其规格大小由风化基岩消落带（2）的斜度确定，也就是控根容器大苗种植后的高度大于水位涨落梯度的水位高线（4）。

3.根据权利要求2所述的风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征在于所述的控根容器大苗种植后的高度超出水位高线（4）1m及1m以上。

4.根据权利要求1或2或3所述的风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征在于所述的控根容器大苗为耐水湿的乔木树种。

5.根据权利要求4所述的风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征在于所述的控根容器大苗中的乔木树种，是在陆上控根容器（7）中培育两年及两年以上的树苗。

6.根据权利要求1或2或3所述的风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征在于所述的控根容器是采用PVC材料制成，容器壁板具有乳突状，且布有多孔。

7.根据权利要求1或2或3所述的风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征在于：当水位退落时，在风化基岩消落带（2）上挖定植穴，将控根容器大苗连同控根容器一起移植到定植穴中。

8.根据权利要求7所述的风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征在于：控根容器大苗在定植穴中定位后，大苗根部周边充实打紧，表面铺上厚3～5cm混凝土，且配置苗木支撑。

9.根据权利要求1或2或3所述的风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征在于所述的风化基岩消落带（2）上位置最低的定植穴与低水位线（3）相平或位于低水位线上方。