[发明专利]光学传感单元、触摸面板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种光学传感单元的制作方法，所述光学传感单元包括感光薄膜晶体管、存储所述感光薄膜晶体管的漏电流的存储电容和读取所述存储电容中储存的电讯号的读取薄膜晶体管，其特征在于，所述制作方法包括：

形成能够遮挡所述读取薄膜晶体管的有源层、防止外界光照射到所述有源层上的所述读取薄膜晶体管的栅电极；

形成所述栅电极包括：

通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述读取薄膜晶体管的栅电极。

2.根据权利要求1所述的光学传感单元的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的有源层和所述读取薄膜晶体管的有源层；和/或

通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的栅电极和所述读取薄膜晶体管的源电极、漏电极。

3.一种光学传感单元，其特征在于，为采用如权利要求1或2所述的制作方法制作得到，所述读取薄膜晶体管的栅电极能够遮挡所述读取薄膜晶体管的有源层，防止外界光照射到所述有源层上。

4.一种触摸面板的制作方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1或2所述的制作方法在衬底基板上形成所述光学传感单元。

5.根据权利要求4所述的触摸面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述衬底基板上形成像素薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的触摸面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的源电极、所述感光薄膜晶体管的漏电极、所述像素薄膜晶体管的源电极、所述像素薄膜晶体管的漏电极和所述读取薄膜晶体管的栅电极。

7.根据权利要求6或5所述的触摸面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的有源层、所述像素薄膜晶体管的有源层和所述读取薄膜晶体管的有源层；和/或

通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的栅电极、所述像素薄膜晶体管的栅电极和所述读取薄膜晶体管的源电极、漏电极。

8.一种触摸面板，其特征在于，为采用如权利要求4-7中任一项所述的制作方法制作得到。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的触摸面板。