[发明专利]双向光控晶闸管芯片、光触发耦合器和固态继电器有效
申请号: | 201510130205.6 | 申请日: | 2015-03-24 |
公开(公告)号: | CN104952889B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 鞠山满;松本浩司;泽井敬一;铃木成次;一条尚生 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/111 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双向 光控 晶闸管 芯片 触发 耦合器 固态 继电器 | ||
1.一种双向光控晶闸管芯片,其特征在于:
具备在1个半导体芯片的表面上相互分离地形成的第一光控晶闸管部和第二光控晶闸管部,
所述各光控晶闸管部具有PNPN部,该PNPN部包括:在一个方向延伸并且具有N型和P型中的一种导电类型的阳极扩散区域;具有N型和P型中的另一种导电类型的衬底;与所述阳极扩散区域相对的具有所述一种导电类型的控制极扩散区域;和在该控制极扩散区域内与所述阳极扩散区域相对地形成并且具有所述另一种导电类型的阴极扩散区域,
所述阳极扩散区域和所述控制极扩散区域的相互相对的两个侧边、以及所述阴极扩散区域的与所述阳极扩散区域相对的侧边中的至少任一个侧边的平面形状,形成为使从所述阳极扩散区域向所述控制极扩散区域和所述阴极扩散区域供给的电流向作为所述阳极扩散区域的延伸方向的所述一个方向的中央部的集中缓和的形状,
所述阴极扩散区域的与所述阳极扩散区域相对的第一侧边的平面形状,形成为使得在与所述一个方向正交的另一个方向上从所述控制极扩散区域的与所述阳极扩散区域相对的第二侧边至所述第一侧边的距离在所述一个方向的中央部成为最大的形状,
所述阴极扩散区域在所述一个方向的中央部被分割为两部分,在相互相对的分割面设置有倾斜,使得该分割面的间隔根据在所述另一个方向上距所述控制极扩散区域的所述第二侧边的距离而变小。
2.一种固态继电器,其特征在于:
包括光触发耦合器和缓冲电路,
所述光触发耦合器包括:权利要求1所述的双向光控晶闸管芯片;和发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的