[发明专利]升压电路、半导体装置、以及升压电路的控制方法

权利要求书

1.一种升压电路，其特征在于，具备：

基准电压产生电路，其产生第一电位并供给至第一电位线；

电荷泵型升压部，其将对所述第一电位升压而得到的第二电位供给至第二电位线；

升压控制部，其与所述第二电位线连接，并基于所述第二电位来控制所述电荷泵型升压部；

开关，其与所述第一电位线和所述第二电位线连接；以及

控制电路，其基于所述第一电位和所述第二电位的电位差来控制所述开关。

2.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，

所述控制电路在所述第二电位为所述第一电位以上的情况下，使所述开关为截止状态。

3.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，

所述控制电路在所述第二电位小于所述第一电位的情况下，使所述开关为导通状态。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的升压电路，其特征在于，

所述控制电路具备：

第一PMOS晶体管，其漏极与所述第一电位线连接，源极与供给比所述第一电位低的规定的电位的第三电位线连接，其控制端子与其源极连接；

第二PMOS晶体管，其漏极与所述第二电位线连接，源极与所述第三电位线连接，其控制端子与所述第一PMOS晶体管的源极连接；

第三PMOS晶体管，其漏极与所述第二电位线连接，源极与所述第三电位线连接，其控制端子与所述第二PMOS晶体管的源极连接；以及

第四PMOS晶体管，其漏极与所述第二电位线连接，源极与所述第三电位线连接，其控制端子与所述第三PMOS晶体管的源极连接。

5.根据权利要求4所述的升压电路，其特征在于，具备：

第一NMOS晶体管，其设置于所述第一PMOS晶体管和所述第三电位线之间，其控制端子与供给偏置电压的偏置线连接；

第二NMOS晶体管，其设置于所述第二PMOS晶体管和所述第三电位线之间，其控制端子与所述偏置线连接；

第三NMOS晶体管，其设置于所述第三PMOS晶体管和所述第三电位线之间，其控制端子与所述偏置线连接；以及

第四NMOS晶体管，其设置于所述第四PMOS晶体管和所述第三电位线之间，其控制端子与所述偏置线连接。

6.根据权利要求4所述的升压电路，其特征在于，

所述控制电路具备切换部，该切换部分别对所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第三PMOS晶体管、以及所述第四PMOS晶体管中的每一个的源极与所述第三电位线的连接以及非连接进行切换。

7.根据权利要求4所述的升压电路，其特征在于，

所述控制电路还具备：

第五PMOS晶体管，其漏极与所述第二电位线连接，其控制端子与所述第三PMOS晶体管的源极连接；

第六PMOS晶体管，其漏极与所述第五PMOS晶体管的源极连接，其源极与所述第二PMOS晶体管的源极连接，其控制端子与所述第一PMOS晶体管的源极连接。

8.根据权利要求1至3中任意一项所述的升压电路，其特征在于，

还具备控制开关，该控制开关在从自升压电路的起动时开始至所述第二电位通过所述电荷泵型升压部升压至规定的电压的期间为导通状态，且该控制开关连接在所述第一电位线与所述开关之间。

9.根据权利要求4所述的升压电路，其特征在于，

与所述第一PMOS晶体管的尺寸相比，所述第二PMOS晶体管的尺寸较大。

10.一种半导体装置，其特征在于，具备：

将通过电荷泵型升压部升压而得到的第二电位作为驱动电位输出的所述权利要求1至9中任意一项所述的升压电路；以及

驱动电路，其基于要使液晶显示装置显示的显示数据将所述驱动电位供给至所述液晶显示装置的各像素。

11.一种升压电路的控制方法，其特征在于，具备：

通过基准电压产生电路产生第一电位并供给至第一电位线的步骤；

通过电荷泵型升压部将对所述第一电位升压而得到的第二电位供给至第二电位线的步骤；

使连接于所述第二电位线的升压控制部基于所述第二电位来控制所述电荷泵型升压部的步骤；以及

通过控制电路并基于所述第一电位与所述第二电位的电位差来控制与所述第一电位线和所述第二电位线连接的开关的步骤。