[发明专利]塑性抗断裂氮化硅陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510131545.0 申请日: 2015-03-24
公开(公告)号: CN104774014A 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 乔瑞庆 申请(专利权)人: 沈阳工业大学
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 代理人: 宋铁军;周智博
地址: 110870 辽宁省沈*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 塑性 断裂 氮化 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种塑性抗断裂氮化硅陶瓷,其特征在于:选用Si3N4,Y2O3和Al2O3为原料,采用冷等静压成型、温度波动的烧结技术制备而成,氮化硅、氧化铝和氧化钇按的质量比例为90:6:4。

2.根据权利要求1所述的塑性抗断裂氮化硅陶瓷,其特征在于:氮化硅的纯度大于97.0%,粒度为d50小于0.5微米,其中,α相含量大于91.0%;氧化铝的纯度为99.95%,粒度d50小于0.6微米;氧化钇纯度为99.99%,粒度d50为0.6微米;以纯氮为保护气体,氮气压力为4MPa。

3.一种如权利要求1所述的塑性抗断裂氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:该方法的步骤如下:

①将氮化硅、氧化铝和氧化钇按90:6:4比例称量,用作制备塑性氮化硅陶瓷的原料;

②用球磨机将原料混匀;

③将料浆放入干燥箱中烘干;

④将混匀干燥的料粉造粒;

⑤将过筛粉料放入模具中,等静压成型,成型压力为170~210MPa,出模;

⑥将成型坯体放入烧结炉中,在指定的温度压力制度下进行烧结。

4.根据权利要求3所述的塑性抗断裂氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:

步骤⑥中的烧结制度为温度波动升温:温度在1500℃~1750℃温度区间波动,温度每1次升降为1次波动,波动次数在3次以上,每次升降温的最大波动幅度为15℃~150℃。

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