[发明专利]EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物在审
| 申请号： | 201510131675.4 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104749887A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 坂本力丸;远藤贵文;何邦庆 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 孙丽梅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | euv 光刻 用抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括下述工序：
在具有待形成转印图案的加工对象膜的基板上涂布包含含有34.2～44.8质量％的溴原子或碘原子的环氧化甲酚酚醛清漆树脂的、在半导体器件的制造中使用的EUV光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，烘烤，从而形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的工序；
在该EUV光刻用抗蚀剂下层膜上被覆EUV光刻用抗蚀剂，隔着掩模向该EUV光刻用抗蚀剂下层膜和该EUV光刻用抗蚀剂下层膜上的该EUV光刻用抗蚀剂膜照射EUV，将该EUV光刻用抗蚀剂膜显影，通过干蚀刻将形成于该掩模的图像转印在基板上，从而形成集成电路元件的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述含有34.2～44.8质量％的溴原子或碘原子的环氧化甲酚酚醛清漆树脂，是环氧化甲酚酚醛清漆树脂与卤代苯甲酸的反应生成物。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述含有34.2～44.8质量％的溴原子或碘原子的环氧化甲酚酚醛清漆树脂是缩水甘油基氧基甲酚酚醛清漆树脂与二碘水杨酸的反应生成物。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体器件的制造方法，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含所述含有34.2～44.8质量％的溴原子或碘原子的环氧化甲酚酚醛清漆树脂、交联剂、交联催化剂和溶剂。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体器件的制造方法，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物还包含产酸剂。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体器件的制造方法，所述含有34.2～44.8质量％的溴原子或碘原子的环氧化甲酚酚醛清漆树脂是重均分子量1000～100000的环氧化甲酚酚醛清漆树脂。
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