[发明专利]电介质陶瓷组合物和电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及电介质陶瓷组合物、以及具有由该电介质陶瓷组合物构成的电介质层的陶瓷电子部件。

背景技术

作为陶瓷电子部件一个例子的层叠陶瓷电容器作为小型、具有高性能且高可靠性的电子部件而被广泛利用。特别是多数被利用于电气设备和电子设备。近年来，伴随着电气设备和电子设备小型化且高性能化，相对于层叠电容器进一步小型化、高性能化和可靠性提高的要求不断提高。作为应对这样的要求的层叠陶瓷电容器，已提出了专利文献1和专利文献2所记载的层叠陶瓷电容器。

然而，近年来，层叠陶瓷电容器的进一步小型化、大电容化的要求不断提高而电介质层的薄层化、多层化变得必需。

因此，在薄层化、多层化的情况下也可以获得足够的可靠性和良好的温度特性的电介质陶瓷组合物的要求变高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-223471号公报

专利文献2：日本特开开2011-201761号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明有鉴于这样的实际情况而完成，其目的在于提供即使比以往对电介质层更薄层化且电介质层所涉及的电场强度变得更高的情况下、或者即使增加电介质层的情况下也满足良好的温度特性和足够的可靠性的电介质陶瓷组合物和电子部件。

解决技术问题的手段

为了达到上述目的，本发明所涉及的电介质陶瓷组合物是具备具有由通式ABO₃(A是选自Ba、Ca和Sr当中的至少一种，B是选自Ti和Zr当中的至少一种)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、以及至少含有稀土化合物的添加物的电介质陶瓷组合物，至少具备具有核壳结构的电介质颗粒和偏析颗粒，在所述偏析颗粒中所述稀土化合物的浓度为所述具有核壳结构的电介质颗粒的壳部的所述稀土化合物平均浓度的2倍以上，所述偏析颗粒所占的面积为0.1～1.1％，在令所述偏析颗粒的最大粒径为r_bmax、所述偏析颗粒的最小粒径为r_bmin、具有所述核壳结构的电介质颗粒的平均粒径为r_a的情况下，r_bmax/r_a≤2.00和r_bmin/r_a≥0.25，不存在实质上含有Mg的所述偏析颗粒。

本发明所涉及的电介质陶瓷组合物，优选地，具有所述核壳结构的电介质颗粒的平均粒径r_a为0.16～0.26μm。

本发明所涉及的电介质陶瓷组合物，优选地，相对于所述主成分100摩尔，含有如下成分作为所述稀土化合物：以Ra₂O₃换算含有0.6摩尔以上且1.4摩尔以下的Ra的氧化物(Ra为选自Dy、Gd和Tb当中的至少一种)；以Rb₂O₃换算含有0.2摩尔以上且0.7摩尔以下的Rb的氧化物(Rb为选自Ho和Y当中的至少一种)；以及以Rc₂O₃换算含有0.2摩尔以上且0.7摩尔以下的Rc的氧化物(Rc为选自Yb和Lu当中的至少一种)。

本发明所涉及的电介质陶瓷组合物，优选地，以Mg换算含有0.6摩尔以上且1.6摩尔以下的Mg的氧化物作为所述添加物。

本发明所涉及的电介质陶瓷组合物，优选地，以Si换算含有0.6摩尔以上且不到1.2摩尔的包含Si的化合物作为所述添加物。

另外，本发明所涉及的陶瓷电子部件具有由上述电介质陶瓷组合物构成的电介质层和电极层。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器的截面图。

图2是图1所示的电介质层2的主要部分放大截面图。

图3A是试样序号3所涉及的电介质陶瓷组合物的切断面的概略图。

图3B是试样序号16所涉及的电介质陶瓷组合物的切断面的概略图。

图3C是试样序号21所涉及的电介质陶瓷组合物的切断面的概略图。

符号的说明：

1…层叠陶瓷电容器

2…电介质层

3…内部电极层

4…外部电极

10…电容器元件主体

a…具有核壳结构的电介质颗粒

a1…核部

a2…壳部

b…偏析颗粒

c…其他电介质颗粒

具体实施方式