[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置，所述功率半导体装置具有基底(20)和布置在所述基底(20)上并且与所述基底(20)连接的功率半导体结构元件(23)，其中，所述基底(20)直接或间接地与金属基体(3)连接，其中，为了所述功率半导体装置(1)的电接触，所述功率半导体装置(1)具有导电的负载联接元件(7)，其中，所述功率半导体装置(1)具有侧向环绕所述功率半导体结构元件(23)的、一体式构造的第一壳体部件(5)，其中，所述基体(3)具有侧向环绕所述功率半导体结构元件(23)的第一主外表面(4)，所述第一主外表面至少部分被侧向环绕所述功率半导体结构元件(23)的、弹性的、不导电的、一体式构造的、结构化的第一密封元件(11)面状地覆盖，其中，所述第一密封元件(11)的区段(53)布置在所述第一壳体部件(5)与所述基体(3)的第一主外表面(4)之间，其中，所述第一壳体部件(5)和所述基体(3)的第一主外表面(4)压向所述第一密封元件(11)，并且所述第一密封元件(11)使所述第一壳体部件(5)相对所述基体(3)的第一主外表面(4)密封。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一主外表面(4)至少大部分被所述第一密封元件(11)面状地覆盖。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述导电的负载联接元件(7)在横向方向上穿过所述第一壳体部件(5)地向外延伸，其中，所述负载联接元件(7)分别具有布置在所述第一壳体部件(5)外部的外部联接区段(7a)，其中，所述基体(3)具有侧向的次外表面(10)，其中，所述第一密封元件(11)至少在相应的外联接区段(7a)的区域(48)中覆盖所述基体(3)的侧向的次外表面(10)。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述基体(3)构造为空气冷却体或液体冷却体，或者构造为基板，所述基板被设置成用于与空气冷却体或液体冷却体连接。

5.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一密封元件(11)既不材料锁合地与所述基体(3)连接，也不材料锁合地与所述第一壳体部件(5)连接。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一密封元件(11)由弹性体构成。

7.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一密封元件(11)具有侧向环绕所述功率半导体结构元件(23)的加厚部(16)，其中，所述密封元件(11)的加厚部(16)布置在所述第一壳体部件(5)与所述基体(3)的第一主外表面(4)之间，其中，所述第一密封元件(11)的加厚部(16)使所述第一壳体部件(5)相对所述基体(3)的第一主外表面(4)密封。

8.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一壳体部件(5)借助螺纹连接(47)与所述基体(3)连接，其中，所述第一壳体部件(5)和所述基体(3)的第一主外表面(4)通过如下方式压向所述第一密封元件(11)，即，通过所述螺纹连接(47)使所述第一壳体部件(5)和所述基体(3)相互挤压。

9.一种具有根据前述权利要求中任一项构造的第一功率半导体装置和第二功率半导体装置(1、1')的功率半导体装置系统，其中，所述第二功率半导体装置(1')的基体(3')具有第二主外表面(31')，所述第二主外表面与所述第二功率半导体装置(1')的基体(3')的第一主外表面(4')相对置地布置，其中，在所述第二功率半导体装置(1')的基体(3')的第二主外表面(4')与所述第一功率半导体装置(1)的第一壳体部件(5)之间布置有第二密封元件(28)，所述第二密封元件使所述第二功率半导体装置(1')的基体(3')的第二主外表面(4')相对所述第一功率半导体装置(1)的第一壳体部件(5)密封。

10.根据权利要求9所述的功率半导体装置系统，其特征在于，所述第二密封元件(28)构造为密封圈。