[发明专利]一种金刚石表面真空离子镀硅膜的制作方法

权利要求书

1.一种金刚石表面真空离子镀硅膜的制作方法，它在金刚石真空镀膜机中进行，它包括以下步骤：

a、首先将金刚石置于真空离子镀膜机的镀膜室中，将镀膜室抽真空至2×10^-3Pa，用5KV离子源对金刚石清洁处理30分钟；

b、用硅片作为真空离子镀膜机阴极靶材，调节真空离子镀膜机的参数为：

电压：        350—450V；

直流电流：    1.0A - 1.2A；

偏转电压：    100—200V；

工作时间：    10800秒—12000秒；

高纯氩气流量：10—14毫升／秒；

温度：        温度280—320°C；

并使金刚石处于移动翻转移动的状态，金刚石粉体为阳极。

2.根据权利要求1所述的金刚石表面真空离子镀硅膜的制作方法，其特征是：

所述步骤b的参数是：

电压：        400V；

偏转电压：    150V；

高纯氩气流量：12毫升／秒；

温度：        温度300°C。