[发明专利]一次编程的记忆胞及其阵列结构与操作方法

权利要求书

1.一种阵列结构的操作方法，该阵列结构包括：

第一一次编程的记忆胞，包括：

第一晶体管，具有漏极，源极连接至第一位线，以及栅极连接至第一字线；

第一变容器，具有第一端连接至该第一晶体管的该漏极，第二端连接至第一编程线；以及

第二变容器，具有第一端连接至该第一晶体管的该漏极，第二端连接至第二编程线；以及

第二一次编程的记忆胞，包括：

第二晶体管，具有漏极，源极连接至该第一位线，以及栅极连接至第二字线；

第三变容器，具有第一端连接至该第二晶体管的该漏极，第二端连接至第三编程线；以及

第四变容器，具有第一端连接至该第二晶体管的该漏极，第二端连接至第四编程线，

该阵列结构的操作方法包括下列步骤：

进入第一次编程周期，将该第一一次编程的记忆胞中的该第一变容器改为第一电阻器；

进入确认周期，读取该第一一次编程的记忆胞所产生的第一读取电流，并判断该第一一次编程的记忆胞是否为失败记忆胞；以及

在确认该第一一次编程的记忆胞为该失败记忆胞时，进入第二次编程周期，将该第一一次编程的记忆胞中的该第二变容器改为第二电阻器。

2.如权利要求1所述的阵列结构的操作方法，其中，当该第一读取电流小于参考电流时，确认该第一一次编程的记忆胞为该失败记忆胞。