[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及气体分配组件在审
| 申请号： | 201510133596.7 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106158568A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木隆史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 气体 分配 组件 | ||
【说明书】：
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