[发明专利]可控温加热式传送腔及其工艺装置和控温加热方法

权利要求书

1.一种可控温加热式传送腔，其特征在于，所述可控温加热式传送腔，包括：

第一传送手臂，设置在所述可控温加热式传送腔内，并用于将晶圆从所述可控温加热式传送腔内传送至所述工艺反应腔室内；

控温加热装置，进一步包括：加热装置，设置在所述可控温加热式传送腔之内壁，且与外界电源电连接；控温装置，与所述加热装置电连接，并用于控制所述加热装置之加热温度；具有过温断路器和高温熔断器的输电线路，设置在所述加热装置、所述控温装置，以及所述外界电源之间。

2.如权利要求1所述的可控温加热式传送腔，其特征在于，所述加热装置设置在所述可控温加热式传送腔之内壁的方式为贴片式的加热带。

3.如权利要求1所述的可控温加热式传送腔，其特征在于，所述加热装置设置在所述可控温加热式传送腔之内壁的方式为内插式的加热棒。

4.如权利要求1所述的可控温加热式传送腔，其特征在于，所述加热装置为电热丝。

5.如权利要求1所述的可控温加热式传送腔，其特征在于，所述高温熔断器为温度保险丝。

6.一种具有如权利要求1所述的可控温加热式传送腔之工艺装置，其特征在于，所述具有可控温加热式传送腔的工艺装置，包括：

可控温加热式传送腔，通过气闸与外界大气压腔室相连，并在所述可控温加热式传送腔内设置用于晶圆传送的第一传送手臂，在所述外界大气压腔室内设置用于晶圆传送的第二手臂；

晶圆承载装置，用于承载待工艺处理之晶圆，并通过设置在所述外界大气压腔室内的第二传送手臂将承载在所述晶圆承载装置内的晶圆传送至所述气闸；

工艺反应腔室，与所述可控温加热式传送腔相连。

7.如权利要求6所述的具有可控温加热式传送腔之工艺装置，其特征在于，与所述可控温加热式传送腔相连的工艺反应腔室之数量至少为1个。

8.如权利要求6所述的具有可控温加热式传送腔之工艺装置，其特征在于，所述具有可控温加热式传送腔的工艺装置之气闸上设置贴片式加热带。

9.一种如权利要求1所述的可控温加热式传送腔之温控加热方法，其特征在于，所述温控加热方法，包括：

执行步骤S1：所述加热装置与外界电源电连接，并将电能转化为热能；

执行步骤S2：所述控温装置对所示加热装置的加热温度进行控制，并使得所述可控温加热式传送腔实现恒定设置温度T₁，且所述可控温加热式传送腔内的恒定设置温度T₁＜所述工艺反应腔室内的工艺环境温度T₂；

执行步骤S3：当所述可控温加热式传送腔内的实测温度T₃＞所述过温断路器之设定温度T₄＞所述可控温加热式传送腔内的恒定设置温度T₁时，所述过温断路器断开；当所述可控温加热式传送腔内的实测温度T₃＞所述高温熔断器之熔断温度T₅＞所述过温断路器之设定温度T₄＞所述可控温加热式传送腔内的恒定设置温度T₁时，所述高温熔断器熔断。

10.如权利要求9所述的可控温加热式传送腔之温控加热方法，其特征在于，所述工艺反应腔室的工艺环境温度T₂为65～280℃，所述控温装置控制所述可控温加热式传送腔的恒定设置温度T₁为60℃，所述过温断路器的设定温度T₄为80℃。所述高温熔断器之熔断温度T₅为100℃，所述气闸上设置贴片式加热带的加热温度T₆为35℃。