[发明专利]一种可改善半导体等离子体处理均匀性的喷淋头在审
| 申请号： | 201510133721.4 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104785389A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 于棚;刘忆军 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | B05B1/14 | 分类号： | B05B1/14;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃;霍光旭 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体 等离子体 处理 均匀 喷淋 | ||
【权利要求书】：
1.一种可改善半导体等离子体处理均匀性的喷淋头，喷淋头与载物台形成相对面，设置于反应腔室中，从喷淋头以喷淋状向载物台进行气体供给，其特征在于：
所述喷淋头的喷淋开孔区域设置有多个通孔，用于气体的喷淋状供给；
进一步地，喷淋头设置的开孔区域的面积小于载物台所载物的面积；
进一步地，喷淋头与载物台形成相对电极；
进一步地，对所述喷淋头与载物台间施加电压形成等离子体，可对载物台及所载物进行等离子体处理。
2.如权利要求1所述的一种可改善半导体等离子体处理均匀性的喷淋头，其特征在于：所述喷淋头设置的多个通孔为均匀或非均匀分布在喷淋头的开孔区域内。
3.如权利要求1所述的一种可改善半导体等离子体处理均匀性的喷淋头，其特征在于：所述喷淋头设置的开孔区域的面积是所载物面积的50％-99％。
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