[发明专利]一种适于RFID的开关电路

说明书

技术领域

本发明涉及RFID阅读器技术领域，具体涉及一种适于RFID的开关电路。

背景技术

射频识别(RadfoFrequencyIdentification，简称RFID)技术是一种非接触式的自动识别技术，它通过电磁波或电感祸合方式传递信号，以完成对目标对象的自动识别。与条形码、磁卡、接触式IC卡等其它自动识别技术相比，即RFID技术具有识别过程无须人工干预、可同时识别多个目标、信息存储量大、可工作于各种恶劣环境等优点。因此，RFID技术已经被广泛地应用于固定资产管理、生产线自动化、动物和车辆识别、公路收费、门禁系统、仓储、商品防伪、航空包裹管理、集装箱管理等领域。

由于阅读器和卡片之间的信息传输是通过射频天线无线传输的，将卡片反馈回来的模拟信号转化成数字信号是个重要的课题，在模数转换的过程中，影响其速度的主要原因就是由开关电容电路引入的时间延迟问题。时间延迟为RC，R为开关的导通电阻，C为电容，引导开关技术就是通过提高栅压来减小开关的导通电阻，从而减小时间延迟，提高转换速度。

在一般的开关中为了减小MOS采样开关中的沟道电荷注入和时钟馈通效应，提高采样速率，现有技术中引入虚拟MOS器件，增加虚拟器件后的MOS采样开关如图1中所示。与普通的采样开关电路相比，电路中增加了由CLK_驱动的虚拟开关M2，当M1断开后，M2导通，前者沉积在CH上的沟道电荷被后者吸收以建立后者的沟道。然而这种开关速度比较慢，不能完全符合模数转换器的要求，在高频的情况下，更加明显不足。

发明内容

针对现有开关速度慢，不能符合模数转换器的要求，本发明提供了一种适于RFID的开关电路，从而提高开关速度，满足模数转换器的要求。

本发明提供了一种适于RFID的开关电路，包括：P型MOS管P1、P型MOS管P2、P型MOS管P3、电容Cs、N型MOS管N1、N型MOS管N2、N型MOS管N3、N型MOS管N4、N型MOS管N5，N型MOS管N6，N型MOS管N7，其中：P1和N1的栅极接收控制信号Clks的输入，N2和N7的栅极接收控制信号Clksb的输入；

P1源级漏级的一端连接着P2、N6，P1源级漏级的另一端连接着N1、P3、N3；P2栅极连接着P3、N6、N3，P2源级漏级的一端连接着P1、N6，P2源级漏级的另一端连接着电容Cs、P3；P3栅极连接着N3、N1、P1，P3源级漏级的一端连接着P2、N6、N3，P3源级漏级的另一端连接着电容Cs、P2；

N1源级漏级的一端连接着P1、P3、N3，N1源级漏级的另一端连接着电容Cs、N2、N3、N4；N2源级漏级的一端接地，N2源级漏级的另一端连接着N1、Cs、N3、N4；N3栅极连接着N4、N5、N6、P3，N3源级漏级的一端连接着N2、Cs、N4、N1，N3源级漏级的另一端连接着N1、P3、P1；N4的栅极连接着N5、N3、N6、P2、P3，N4源级漏级的一端连接着N3、N2、Cs、N1，N4源级漏级的另一端连接着N5；N6栅极连接着P1、P2，N6源级漏级的一端连接着N5、N3、P2、P3、N4，N6源级漏级的另一端连接着N7；N7源级漏级的一端接地，N7源级漏级的另一端连接着N6；

N5栅极连接着N4、N3、N6、P2、P3，N5源级漏级的一端连接着N4，由N5的源级漏级形成一个自举开关。

本发明实施例中当clks为低电平，clksb为高电平，N1管导通，电容下极板被放电为0电平，电容上极板与电源之间的P2管因为N6、N7管导通所以P2的栅压降低后导通，使电容上极板充电至电源电压，此时电容两极板间电压为电源电压；当clks为高电平时，反相器使电容上极板右侧P3管导通，电容上极板与自举开关管N5栅极相连，并且由于开关管N5栅极为高电平，所以开关管左侧N4管导通，使电容下极板与开关管N5的源极相连，此时clksb为低电平，电容下极板成为“浮动节点”，开关管栅源电压等于电容两极板间电压，即电源电压。这种开关通过提高栅压来减小开关的导通电阻，从而减小时间延迟，提高转换速度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是现有技术中的增加虚拟器件后的MOS采样开关电路结构示意图；