[发明专利]钨膜的成膜方法和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种钨膜的成膜方法，其特征在于：

对被处理基板在减压气氛气下同时或交替供给作为钨原料的氯化钨气体和还原气体，一边对被处理基板进行加热一边使氯化钨气体和还原气体反应，在被处理基板的表面，不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜，所述处理容器内的压力为10Torr以上30Torr以下，

所述还原气体仅为H₂气体时，所述被处理基板的温度为400℃以上550℃以下，或者

所述还原气体为在H₂气体中添加有NH₃气体时，所述被处理基板的温度为250℃以上550℃以下。

2.如权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述氯化钨为WCl₆、WCl₅、WCl₄的任一者。

3.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

作为所述被处理基板使用在表面形成有基底膜的基板，在所述基底膜的表面成膜所述钨膜。

4.如权利要求3所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述基底膜为TiN膜或TiSiN膜。

5.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

在所述被处理基板形成凹部，在所述凹部内成膜所述主钨膜而将所述凹部填埋。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：

在表面具有凹部的被处理基板的表面成膜基底膜的步骤；和

对在表面形成有所述基底膜的被处理基板在减压气氛气下同时或交替供给作为钨原料的氯化钨气体和还原气体，一边对被处理基板进行加热一边使氯化钨气体和还原气体反应，在被处理基板的表面不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜而将所述凹部填埋的工序，

将所述凹部填埋的工序在处理容器内的压力为10Torr以上30Torr以下的条件下进行，

所述还原气体仅为H₂气体时，所述被处理基板的温度为400℃以上550℃以下，或者

所述还原气体为在H₂气体中添加有NH₃气体时，所述被处理基板的温度为250℃以上550℃以下。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述氯化钨为WCl₆、WCl₅、WCl₄的任一者。

8.如权利要求6或7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述基底膜为TiN膜或TiSiN膜。