[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括有源层、掺杂层和源/漏电极层，所述掺杂层位于所述有源层与所述源/漏电极层之间，其特征在于，所述掺杂层至少包括两层子掺杂层，靠近所述源/漏电极层的源/漏电极子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度大于靠近所述有源层的有源子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度，所述有源子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度大于0。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂层为三、四或五层子掺杂层，所述三、四或五层子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度逐层降低，且靠近所述源/漏电极层的源/漏电极子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度最大。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂层为硅烷中掺杂磷烷形成的半导体掺杂层，所述硅烷与磷烷的体积比为11:14～19。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源/漏电极子掺杂层中，硅烷与磷烷的体积比为11:X，且17＜X≤19；所述有源子掺杂层中，硅烷与磷烷的体积比为11:Y，且14≤Y≤17。

5.一种薄膜晶体管的制备方法，包括有源层制备的工序、掺杂层制备的工序和源/漏电极层制备的工序，所述掺杂层位于所述有源层与所述源/漏电极层之间，其特征在于，所述掺杂层制备的工序至少包括两层子掺杂层的制备工序，靠近所述源/漏电极层的源/漏电极子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度大于靠近所述有源层的有源子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度，所述有源子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度大于0。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述掺杂层制备的工序包括三、四或五层子掺杂层的制备工序，所述三、四或五层子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度逐层降低，且靠近所述源/漏电极层的源/漏电极子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度最大。

7.根据权利要求5或6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述掺杂层为硅烷中掺杂磷烷形成的掺杂层，所述硅烷与磷烷的体积比为11:14～19。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述源/漏电极子掺杂层中，硅烷与磷烷的体积比为11:X，且17＜X≤19；所述有源子掺杂层中，硅烷与磷烷的体积比为11:Y，且14≤Y≤17。

9.一种包括权利要求1-4中的任一项所述的薄膜晶体管的阵列基板。

10.一种包括权利要求9所述的阵列基板的显示装置。