[发明专利]基准电压电路有效
申请号: | 201510134547.5 | 申请日: | 2015-03-26 |
公开(公告)号: | CN104714591B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 林桂江;任连峰;陈荣金;杨凤炳;谢文卉 | 申请(专利权)人: | 厦门新页科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
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地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 电压 电路 | ||
1.一种基准电压电路,其特征在于:包括启动电路、正温度系数基准电路和偏置电压电路;其中偏置电压电路包括PMOS管MP3、电阻R2和负温度器件,该负温度器件为具有负温度系数的MOS管;PMOS管MP3的漏极依次串联负温度器件和电阻后接地。
2.根据权利要求1所述的基准电压电路,其特征在于:所述负温度器件由PMOS管MP4实现,PMOS管MP4的源级连接至PMOS管MP3的漏极,PMOS管MP4的栅极和漏极相连,并串联电阻R2后接地。
3.根据权利要求2所述的基准电压电路,其特征在于:所述正温度系数基准电路包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、NMOS管MN3、NMOS管MN4和电阻R1,偏置电压电路包括PMOS管MP3、PMOS管MP4和电阻R2;PMOS管MP1的栅极与PMOS管MP2的栅极以及NMOS管MN4的源级相连,PMOS管MP1的源级、PMOS管MP2的源级以及PMOS管MP3的源级连接至VDD,PMOS管MP1的漏极连接NMOS管MN3的漏极、NMOS管MN3的栅极以及NMOS管MN4的栅极;NMOS管MN3的源级接地;NMOS管MN4的漏极串联电阻R1后接地;PMOS管MP3的漏极连接PMOS管MP4的源级;PMOS管MP4的栅极和漏极相连,串联电阻R2后接地。
4.根据权利要求1所述的基准电压电路,其特征在于:所述负温度器件由NMOS管MN5实现,NMOS管MN5的栅极和漏极连接至PMOS管MP3的漏极,NMOS管MN5的源级串联电阻R2后接地。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的基准电压电路,其特征在于:该偏置电压电路还包括滤波电路,滤波电路接于PMOS管MP3的漏极。
6.根据权利要求5所述的基准电压电路,其特征在于:该滤波电路采用电容C2实现,电容C2的一端连接PMOS管MP3的漏极,电容C2的另一端接地。
7.根据权利要求1或2或3或4所述的基准电压电路,其特征在于:所述启动电路包括NMOS管MN1,NMOS管MN2和电容C1,NMOS管MN1的栅极连接NMOS管MN3的漏极,NMOS管MN1的源级接地,NMOS管MN1的漏极连接电容C1的一端以及NMOS管MN2的栅极;电容C1的另一端连接至VDD;NMOS管MN2的源级接地,NMOS管MN2的漏极连接至NMOS管MN4的源级。
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