[发明专利]使能对传感器测量误差的微调和自补偿的基于ISFET传感器的磁激励

权利要求书

1.一种离子传感器装置，包括：

至少一个离子敏感场效应晶体管ISFET设备，其被配置成暴露于液体；

参考电极，其被配置成接触所述ISFET设备所暴露于的所述液体；

至少一个磁体，其被配置成将所述ISFET设备间歇地暴露于磁场；以及

处理器，其操作地连接到所述ISFET设备和所述参考电极；

其中所述处理器调制所述磁场以产生所述ISFET设备的电阻中的对应已调制输出和所述离子传感器装置的所报告的输出值的调制。

2.如权利要求1的传感器装置，其中所述ISFET设备包括：

具有顶表面的半导体基底；

多个触点，其位于所述半导体基底的相对侧面部分中；以及

离子敏感通道，其位于所述半导体基底在所述触点之间的顶部中心部分中；

其中所述触点彼此分离并且位于所述半导体基底的顶表面下方。

3.一种补偿离子传感器测量误差的方法，所述方法包括：

将液体与离子敏感场效应晶体管ISFET设备的一部分相接触；

将所述ISFET设备暴露于已调制磁场以产生在所述ISFET设备的电阻中的对应已调制输出；

监测所述已调制输出以确定在所述已调制输出和基于所述已调制磁场的预期输出之间是否存在差异；

当在所述已调制输出和所述预期输出之间存在差异时，确定误差补偿值；以及

应用所述误差补偿值来使得在一定时间段内的所述已调制输出和所述预期输出之间的差异变为零，以保持离子传感器测量的稳定性。