[发明专利]基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法

权利要求书

1.一种基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法，其特征在于：其包括按顺序执行的下列步骤：

步骤一、绘制磁阀式可控电抗器铁芯尺寸图：以mm为单位，绘制磁阀式可控电抗器铁芯的结构平面图；

步骤二、建立磁阀式可控电抗器中矩形磁阀结构模型：确定矩形磁阀的面积和高度，并在MagNet中建立模型；

步骤三、分析磁阀式可控电抗器各部位的损耗分布，由此得出损耗分布情况，矩形磁阀处的铁芯损耗较大，损耗主要集中在内柱和边柱上，连接轭的损耗很小；

步骤四、绘制磁阀式可控电抗器内部磁力线分布图，分析涡流损耗情况；

步骤五、优化磁阀设计：针对矩形磁阀结构饱和时产生的边缘效应，对矩形磁阀结构进行优化设计；

步骤六、检验优化结果：比较矩形结构和优化后磁阀饱和的磁密分布和边缘漏磁场，检验优化效果。

2.根据权利要求1所述的基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法，其特征在于：在步骤二中，所述的建立磁阀式可控电抗器中矩形磁阀结构模型的方法是：针对磁阀式可控电抗器铁芯，取矩形磁阀面积为铁芯柱的1/2，磁阀高度6mm，在MagNet中建立矩形磁阀模型，以进行损耗分析。