[发明专利]光学微纳谐振腔结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510137590.7 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106145021B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李伟;甘甫烷;李明;贾棋;武爱民;盛振;王曦 | 申请（专利权）人： | 中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C99/00;H01S3/08 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 226017 江苏省南通市苏通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 谐振腔 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种光学微纳谐振腔结构，其特征在于：
所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链，所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成，所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。
2.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构，其特征在于：所述单排粒子链的晶格常数及介质、其各粒子的半径根据光学微纳谐振腔结构工作的特定偏振的电磁波波长确定，以使单排粒子链对所述特定偏振的电磁波波长具有全反射功能。
3.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构，其特征在于：所述两个单排粒子链之间的距离为光学微纳谐振腔结构的腔长。
4.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构，其特征在于：所述单排粒子链的介质包括Si、Ge、及GaN中的一种。
5.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构，其特征在于：所述单排粒子链中各粒子呈直线状周期性排列。
6.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构，其特征在于：所述单排粒子链中各粒子的形状为圆球形。
7.一种光学微纳谐振腔结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：
1)根据光学微纳谐振腔结构工作的特定偏振的电磁波波长，设计单排粒子链中各粒子的半径以及单排粒子链的晶格常数，并确定相应的单排粒子链的介质，以使所述单排粒子链对所述特定偏振的电磁波波长有最大的反射率；
2)根据步骤1)中设计的单排粒子链的参数，确定两排粒子链之间的距离，即光学微纳谐振腔结构的腔长，以使光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。
8.根据权利要求7所述的光学微纳谐振腔结构的制作方法，其特征在于：所述单排粒子链的介质包括Si、Ge、及GaN中的一种。
9.根据权利要求7所述的光学微纳谐振腔结构的制作方法，其特征在于：所述单排粒子链中各粒子呈直线状周期性排列。
10.根据权利要求7所述的光学微纳谐振腔结构的制作方法，其特征在于：所述单排粒子链中各粒子的形状为圆球形。
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