[发明专利]噻吨酮-芳香胺化合物及应用该化合物的有机发光器件

权利要求书

1.一种噻吨酮-芳香胺化合物，其特征在于，包括式(Ⅰ)或式(Ⅱ)所示的化合物：

其中，Ar₁和Ar₂分别选自具有式(Ⅲ)～式(Ⅶ)所示结构的氨类化合物或氢原子，

2.如权利要求1所述的噻吨酮-芳香胺化合物，其特征在于，所述Ar₁和Ar₂分别选自具有式(Ⅲ)～式(Ⅶ)所示结构的氨类化合物，且Ar₁和Ar₂的结构相同。

3.如权利要求2所述的噻吨酮-芳香胺化合物，其特征在于，所述噻吨酮-芳香胺化合物包括化合物P1,P2,P5,P6,P9,P10,P11,P12,P13,P14,P21,P22,P23,P24,P25,P26,P33,P34,P35,P36,P37和P38，其结构式分别如下：

4.如权利要求1所述的噻吨酮-芳香胺化合物，其特征在于，所述Ar₁和Ar₂分别选自具有式(Ⅲ)～式(Ⅶ)所示结构的氨类化合物，且Ar₁和Ar₂的结构不同。

5.如权利要求1所述的噻吨酮-芳香胺化合物，其特征在于，所述Ar₁为氢原子，Ar₂选自具有式(Ⅲ)～式(Ⅶ)所示结构的氨类化合物。

6.如权利要求5所述的噻吨酮-芳香胺化合物，其特征在于，所述噻吨酮-芳香胺化合物包括化合物P3,P4,P7,P8,P15,P16,P17,P18,P19,P20,P27,P28,P29,P30,P31,P32,P39,P40,P41,P42，P43和P44，其结构式分别如下：

7.一种有机发光器件，其特征在于，包括基板(1)、形成于所述基板(1)上的阳极(2)、形成于所述阳极(2)上的空穴注入层(3)、形成于所述空穴注入层(3)上的空穴传输层(4)、形成于所述空穴传输层(4)上的数层发光层(5)、形成于所述数层发光层(5)上的电子传输层(6)、及形成于所述电子传输层(6)上的阴极(7)，所述的数层发光层(5)的材料为权利要求1所述的噻吨酮-芳香胺化合物中的一种或多种。

8.如权利要求7所述的有机发光器件，其特征在于，所述阳极(2)的材料为氧化铟锡，所述阴极(7)与所述电子传输层(6)之间设有电子注入层(71)，所述阴极(7)的材料为铝，所述电子注入层(71)的材料为氟化锂。

9.如权利要求8所述的有机发光器件，其特征在于，所述阳极(2)的厚度为95nm，所述空穴注入层(3)的厚度为5nm，所述空穴传输层(4)的厚度为20nm，所述发光层(5)的厚度为35nm，所述电子传输层(6)的厚度为55nm，所述阴极(7)的厚度为大于80nm，所述电子注入层(71)的厚度为1nm。

10.如权利要求7所述的有机发光器件，其特征在于，所述空穴注入层(3)的材料为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HAT-CN)，其结构式为

所述空穴传输层(4)的材料为4-(2-噻唑偶氮)-苯二甘氨酸(TAPC)，其结构式为

所述发光层(5)的材料为1,3二咔唑基苯(mCP)掺杂噻吨酮-芳香胺化合物P2，所述1,3二咔唑基苯(mCP)的结构式为

所述噻吨酮-芳香胺化合物P2的结构式为

所述电子传输层(6)的材料为1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPyPB)，其结构式为