[发明专利]R-T-B系合金粉末和R-T-B系烧结磁体有效
申请号: | 201510137999.9 | 申请日: | 2015-03-26 |
公开(公告)号: | CN104952578B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 石井伦太郎 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;王磊 |
地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合金 粉末 烧结 磁体 | ||
本发明提供一种用于制作磁特性优异的磁体的合金粉末。本发明的R‑T‑B系合金粉末,其颗粒的表面被含有Nd、Pr、Dy、Tb中的至少1种以上的稀土元素的R浓缩层覆盖,上述R浓缩层中的稀土元素在20原子%以上且32原子%以下的范围。
技术领域
本发明涉及一种R-T-B系合金粉末和R-T-B系烧结磁体。
背景技术
R-T-B系烧结磁体(R为包含Y的稀土元素,T为以Fe为主要成分的过渡元素,具体而言为Fe或者Fe和Co,B为硼)在各种磁体中显示最高的磁能积,价格也比较便宜,因此,在各种电子设备中被广泛利用。
R-T-B系烧结磁体例如通过以下所示的工序来制作。
首先,通过利用铸模(ingot)法或薄带连铸法等方法将各种原料金属铸造而制造原料合金。接着,将得到的原料合金供于粉碎工序,得到规定粒径的合金粉末。在该粉碎工序中,通常包含粗粉碎工序和微粉碎工序,前者利用例如氢脆现象而进行,后者使用例如气流式粉碎机(喷射磨)而进行。
接着,将上述粉末供于在磁场中加压成型为所期望形状的磁场中成型工序。通过将由此得到的成型体进行烧结,制作R-T-B系烧结磁体。另外,烧结之后,通常进行热处理。
为了提高R-T-B系烧结磁体的矫顽力,提出了各种方法。
专利文献1公开了一种制造方法,该方法以将由RE2TM14B(在此,RE为选自Y、Sc和镧系元素中的一种或两种以上的元素,另外,TM为选自Fe、Co和Ni中的一种或两种以上的元素)构成的粉末的周围涂敷熔点比其低的RE-TM系合金(在此,关于RE,与以上相同)得到的粉末为原料,将该原料粉末进行压缩成型之后进行烧结。通过使用该原料粉末,能够得到高磁特性且高耐腐蚀性的磁体。
专利文献2公开了一种磁体的制造方法,其具备:使含有钕、铁和硼的粉末与含有选自镝、铽、铁和它们的合金中的金属的蒸气接触,形成包覆粉末的工序;和由上述包覆粉末形成永磁体的工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平4-345002号公报
专利文献2:日本特开2013-243346号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1、2所记载的技术中,暂时制作粉末之后,进行用金属膜包覆的处理,因此,不能避免氧含量的增加,难以制造高性能的烧结磁体。
另外,在专利文献1、2所记载的技术中,均需要粉碎和涂敷或包覆这样的2阶段的工序。
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于,提供一种用微粉碎工序制作的且在其表面具有稀土元素的浓缩层的R-T-B系合金粉末、以及使用该R-T-B系合金粉末制作的R-T-B系烧结磁体。
用于解决课题的方法
本发明的实施方式的R-T-B系合金粉末,其特征在于,颗粒的表面被含有选自Nd、Pr、Dy、Tb中的至少1种以上的稀土元素的R浓缩层覆盖,上述R浓缩层中的稀土元素的浓度在20原子%以上且32原子%以下的范围。
在某种实施方式中,上述R浓缩层的厚度方向的氧浓度从颗粒表面向内部同样地降低。
在某种实施方式中,上述R浓缩层中还含有Fe,上述R浓缩层中的Fe的浓度低于上述R浓缩层的内侧的R2Fe14B相中的Fe的浓度。
在某种实施方式中,上述R浓缩层中还含有B,上述R浓缩层中的B的浓度低于上述R浓缩层的内侧的R2Fe14B相中的B的浓度。
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