[发明专利]EL显示装置及EL显示装置的制造方法有效
申请号: | 201510138136.3 | 申请日: | 2015-03-26 |
公开(公告)号: | CN104953039B | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 山田泰之;中村智树 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军,李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | el 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种EL显示装置,具有下部电极、绝缘层、白色发光的EL层、上部电极和密封层,所述下部电极和所述绝缘层按每个像素形成于阵列基板上,所述EL层以跨越复数个像素的方式形成于所述下部电极和所述绝缘层的上层,所述上部电极以跨越复数个像素的方式形成于所述EL层的上层,所述密封层形成于所述上部电极的上层,
所述EL显示装置中,在边框区域,所述上部电极和所述绝缘层以围绕显示区域的方式相接触,在所述边框区域,在所述EL层上以围绕所述显示区域的方式形成槽,
所述上部电极和所述绝缘层在所述槽中相接触。
2.如权利要求1所述的EL显示装置,其中,在所述边框区域,所述上部电极和所述绝缘层以围绕所述显示区域的方式相接触,并且,所述密封层和所述绝缘层以围绕所述显示区域的方式相接触。
3.如权利要求1所述的EL显示装置,其中,所述上部电极和所述绝缘层在所述槽中相接触,
所述密封层和所述绝缘层在所述槽的外周侧相接触。
4.如权利要求1所述的EL显示装置,其中,在所述上部电极的上层形成第2密封层,
所述密封层和所述绝缘层在所述第2密封层的外周侧相接触。
5.一种EL显示装置的制造方法,包括下述工序:按每个像素在阵列母基板上形成下部电极和绝缘层;
以跨越复数个像素的方式在所述下部电极和所述绝缘层的上层形成白色发光的EL层;
在边框区域,以围绕显示区域的方式部分地除去所述EL层,从而在所述EL层上以围绕所述显示区域的方式形成槽;
以跨越复数个像素的方式在所述EL层的上层形成上部电极,以围绕所述显示区域的方式使所述上部电极与所述绝缘层在所述槽中相接触。
6.如权利要求5所述的EL显示装置的制造方法,其中,所述边框区域内的所述EL层的除去通过激光消融法、或者通过剥离预先形成于所述绝缘层上的牺牲层来进行。
7.一种EL显示装置的制造方法,包括下述工序:按每个像素在阵列母基板上形成下部电极和绝缘层;
以跨越复数个像素的方式在所述下部电极和所述绝缘层的上层形成白色发光的EL层;
以跨越复数个像素的方式在所述EL层的上层形成上部电极;
在边框区域,以围绕显示区域的方式部分地除去所述EL层和所述上部电极,从而在所述EL层和所述上部电极上以围绕所述显示区域的方式形成槽;
在所述上部电极的上层形成密封层,以围绕所述显示区域的方式使所述密封层与所述绝缘层在所述槽中相接触。
8.如权利要求7所述的EL显示装置的制造方法,其中,所述边框区域内的所述EL层和所述上部电极的除去通过激光消融法、或者通过剥离预先形成于所述绝缘层上的牺牲层来进行。
9.如权利要求7所述的EL显示装置的制造方法,其中,所述边框区域内的所述EL层和所述上部电极的除去通过干蚀刻来进行,所述干蚀刻将形成于所述上部电极的上层的第2密封层作为保护层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器,未经株式会社日本显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510138136.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择