[发明专利]一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种包含硅通孔的半导体结构，包括衬底，信号通孔、电源通孔和地通孔，其特征在于，所述信号通孔、电源通孔均为由N型掺杂的多晶硅填充的通孔，并且与所述衬底之间没有绝缘层；所述地通孔为由P型掺杂的多晶硅填充的通孔，并且与所述衬底之间没有绝缘层；所述衬底为P型掺杂。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底为裸片或所述衬底的第一表面和/或第二表面上具有下列结构中的一种或多种：半导体器件、电学互连层、微传感器结构、焊盘和钝化层。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第一表面上键合有一辅助晶圆。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括重新布线层和金属凸点，所述金属凸点位于重新布线层上与重新布线层电连接，所述重新布线层与所述通孔电连接。

6.一种包含硅通孔的半导体结构制造方法，其步骤为：

1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；其中所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；

2)在所述衬底第一表面上粘附一干膜层，图形化所述干膜层，使干膜层在一部分深孔上形成开口；

3)向干膜层上有开口的的深孔内填充掺杂第一导电类型杂质的多晶硅，去掉所述干膜层；

4)向剩余深孔中填充掺杂第二导电类型杂质的多晶硅；

5)减薄所述衬底的第二表面，露出深孔的底部；

其中，用作信号通孔、电源通孔的深孔内填充N型掺杂的多晶硅，用作地通孔的深孔内填充P型掺杂的多晶硅，所述衬底为P型掺杂。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通孔的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度。

8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，抛光所述衬底的第一表面，将多余多晶硅材料去除，然后对所述衬底进行退火，激活掺杂杂质离子。

9.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述深孔的刻蚀方法为：

1)在所述衬底第一表面上形成一层掩膜层，对所述掩膜层进行图形化，形成多个开口；

2)按照掩膜层上的开口对衬底进行刻蚀，刻蚀出多个深孔。

10.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在所述衬底减薄前，将所述衬底键合到一辅助晶圆上。