[发明专利]一种触控显示装置、触摸面板、导电搭桥方法及搭桥结构有效

专利信息
申请号: 201510138235.1 申请日: 2015-03-26
公开(公告)号: CN104679343B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 冯翔;魏向东;刘静;邱云 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 代理人: 林桐苒,李丹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示装置 触摸 面板 导电 搭桥 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种导电搭桥方法,其特征在于,包括:

提供一基板;

在基板上形成相互交叉设置的第一电极线和第二电极线,所述第二电极线在与所述第一电极线相交处中断;

在形成第一电极线和第二电极线的基板上依次形成绝缘层和单分子层;

形成贯穿绝缘层和单分子层的过孔;

去除靠近同一根第一电极线的两个相邻过孔之间的单分子层;

在所述过孔中和所述两个相邻过孔之间形成导电分散液;

对所述导电分散液进行处理形成导电膜。

2.如权利要求1所述的导电搭桥方法,其特征在于,在形成所述导电膜的基板上形成保护层。

3.如权利要求1所述的导电搭桥方法,其特征在于,形成贯穿绝缘层和单分子层的过孔的步骤具体包括:

在绝缘层和单分子层上涂覆光刻胶;

利用曝光、显影在交叉区域靠近第一电极线的第二电极线的上方形成贯穿所述绝缘层和所述单分子层的过孔。

4.如权利要求1所述的导电搭桥方法,其特征在于,所述绝缘层的材料为二氧化硅,并对二氧化硅进行羟化处理。

5.如权利要求4所述的导电搭桥方法,其特征在于,所述羟化处理方法具体采用浓硫酸双氧水浸泡法。

6.如权利要求1所述的导电搭桥方法,其特征在于,所述单分子层的材料为八烷基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、六甲基二硅胺或三氯(1H,1H,2H,2H-十七氟癸烷基)硅烷中的一种。

7.如权利要求1所述的导电搭桥方法,其特征在于,所述导电分散液为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)的分散液、在聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)的分散液中混入二甲基亚砜或乙二醇的混合分散液、碳纳米管分散液、银纳米线分散液或氧化石墨烯分散液中的一种。

8.如权利要求1所述的导电搭桥方法,其特征在于,对所述导电分散液进行处理形成导电膜的具体步骤为对导电分散液进行退火处理,退火温度为150℃~250℃,退火时间为1小时~2小时。

9.如权利要求2所述的导电搭桥方法,其特征在于,所述保护层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯中的任意一种。

10.如权利要求7所述的导电搭桥方法,其特征在于,形成所述导电分散液包括:采用剪切装置切掉多余的导电分散液来控制沉积导电分散液厚度;或者,采用旋涂方法或提拉方法,形成所述导电分散液,以保留所述过孔中和所述两个相邻过孔之间的导电分散液。

11.一种导电搭桥结构,其特征在于,包括:

形成有相互交叉设置的第一电极线和第二电极线的基板,且所述第二电极线在与所述第一电极线相交处中断;

形成在所述第一电极线和第二电极线上的绝缘层;

形成在所述绝缘层上的单分子层;

贯穿所述绝缘层和所述单分子层的过孔,所述过孔位于交叉区域靠近第一电极线的第二电极线的上方;其中,所述过孔中和两个相邻过孔之间没有所述单分子层;

形成在所述过孔中、以及位于交叉区域的两个相邻过孔之间的导电膜。

12.如权利要求11所述的导电搭桥结构,其特征在于,还包括覆盖所述导电膜上方的保护层。

13.如权利要求12所述的导电搭桥结构,其特征在于,所述保护层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯中的任意一种。

14.如权利要求11所述的导电搭桥结构,其特征在于,所述绝缘层的材料为经过羟化处理的二氧化硅。

15.如权利要求14所述的导电搭桥结构,其特征在于,所述二氧化硅利用浓硫酸双氧水浸泡法进行羟化处理。

16.如权利要求11所述的导电搭桥结构,其特征在于,所述单分子层的材料为八烷基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、六甲基二硅胺或三氯(1H,1H,2H,2H-十七氟癸烷基)硅烷中的一种。

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