[发明专利]柔性装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201510138382.9 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104716081B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘陆;谢明哲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种柔性装置的制作方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板上形成牺牲层；
在至少一部分所述牺牲层之上形成反射层，其中，所述反射层将照射的激光反射回牺牲层；
在所述牺牲层和所述反射层的上方制作柔性基底层；
使用激光照射所述牺牲层，将玻璃基板剥离。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述反射层覆盖全部的所述牺牲层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在玻璃基板上形成牺牲层包括：
使用有机材料制作所述牺牲层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述使用有机材料制作所述牺牲层具体为：
使用聚酰亚胺制作所述牺牲层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述使用聚酰亚胺制作所述牺牲层包括：
在玻璃基板上涂覆聚酰亚胺溶液；
对涂覆的聚酰亚胺溶液热固化形成牺牲层。
6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在所述牺牲层和所述反射层的上方制作柔性基底层之后还包括：
在所述柔性基底层上制作柔性显示器件。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，
所述反射层的位置与所述柔性显示器件中的周边电路区域相对应。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述牺牲层和所述反射层之上形成柔性基底层包括：使用聚酰亚胺制作所述柔性基底层。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在至少一部分所述牺牲层之上形成反射层包括：采用溅射工艺形成所述反射层。
10.一种利用如权利要求1-9任一项所述的方法制作的柔性装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
