[发明专利]一种连续可变型基片集成波导模拟移相器

权利要求书

1.一种连续可变型的基片集成波导模拟移相器，包括50Ω特征阻抗微带线、变容二极管、过渡结构、基片集成波导SIW和外围电阻电容电感，其特征在于：输入端为50Ω特征阻抗的微带线，信号再经过渡结构馈到基片集成波导；在工作于全模模式的SIW结构中，沿电磁场传播方向开一条槽，槽长与SIW长度相同，宽度s≤1.5mm；此槽线将基片集成波导分为两个部分，包含过渡结构一侧的SIW宽度为W，另一侧宽度为C，过渡结构为凹陷的矩形，其沿电磁场传播方向的长度1/3W≤l_x≤2/3W，另一边长度1/5W≤l_y≤2/3W；

将变容二极管和固定容值电容成对垂直于SIW分别安装在槽线两侧，并且两者连线与槽线垂直,每对变容二极管V_CD和固定容值电容C_m的中心距离s＜l_t≤2mm，相邻两对变容二极管和固定容值电容之间的距离5mm≤l_s≤10mm；

外围电阻电容电感:变容二极管的正极用焊锡在槽线一侧接地，固定容值电容C_m的一端用焊锡在槽线另一侧接地，变容二极管的负极和C_m的另一端通过焊锡连在一起，而后经过导线分别与扼流电感L_n和限流电阻R_n串联，同时与去耦电容C_n并联接地，其中C_m容值大于变容二极管最大容值100倍。

2.如权利要求1所述连续可变型的基片集成波导模拟移相器，其特征在于：所述变容二极管和固定容值电容的对数小于30对。

3.如权利要求1或2任一所述连续可变型的基片集成波导模拟移相器，其特征在于：SIW选用厚度为0.508mm的RT/Duroid 4350，相对介电常数为3.48，损耗角正切为0.0037，C_m取100pF；其中w_ms为微带线宽度，l_ms为微带线长度，s_vp为金属化通孔间距，d_vp为金属化通孔直径，l为基片集成波导长度；

各参数的具体尺寸如下：w_ms＝1.12mm，l_ms＝6mm，c＝3mm，w＝15mm，s_vp＝0.75mm，d_vp＝0.5mm，l＝130mm，s＝0.5mm，l_s＝8mm，l_t＝1.4mm，l_x＝6.5mm，l_y＝5mm。