[发明专利]温度相关的电流限制

权利要求书

1.一种用于限制提供给负载的电流量的方法，其包括：

通过温度传感器确定控制流向负载的电流量的器件的温度；

基于所述器件的温度确定电流阈值；以及

响应于确定流向负载的电流量大于电流阈值，通过去激活负载来调节流向负载的电流量，

其中，确定所述电流阈值包括：

基于所述器件的温度确定中间电流阈值；

从中间电流阈值中减去起始电流以确定电流阈值，其中所述起始电流基于温度阈值；以及

如果所述器件的温度低于温度阈值，则不去激活负载。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述温度传感器是第一温度传感器，所述方法还包括：

由第二温度传感器确定周围环境温度，其中确定电流阈值包括：

基于所述器件的温度和所述周围环境温度来确定电流阈值。

3.根据权利要求1的方法，其中，确定所述器件的温度包括：

利用恒定电流偏置半导体器件，从而使得在所述半导体器件上得到的电压降对应于所述器件的温度，其中所述半导体器件是双极型晶体管、电阻器或二极管，并且其中确定电流阈值包括：

基于所得到的电压降确定中间电流阈值；以及

通过一个或更多电流镜对中间电流阈值进行镜像以生成电流阈值。

4.根据权利要求1的方法，其中，在负载激活时，流向负载的电流量在第一时间处达到最大值，其中所述器件的温度在第二时间处达到最大值，并且其中第二时间晚于第一时间。

5.根据权利要求1的方法，其中，所述器件是从由以下各项构成的组当中选择的：电力晶体管、半导体闸流管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

6.一种用于限制提供给负载的电流量的系统，其包括：

被配置成控制流向负载的电流量的器件；

被配置成确定所述器件的温度的温度模块；

被配置成基于所述器件的温度确定电流阈值的电流阈值模块；以及

被配置成响应于确定流向负载的电流量大于电流阈值而通过去激活负载来调节流向负载的电流量的电流控制模块，

其中，所述电流阈值模块被配置成至少通过以下步骤确定所述电流阈值：

基于所述器件的温度确定中间电流阈值；

从中间电流阈值中减去起始电流以确定电流阈值，其中所述起始电流基于温度阈值；以及

如果所述器件的温度低于温度阈值，则不去激活负载。

7.根据权利要求6的系统，其中，所述温度模块是第一温度模块，所述系统还包括：

被配置成确定周围环境温度的第二温度模块，其中，所述电流阈值模块被配置成至少通过以下步骤确定电流阈值：

基于所述器件的温度和所述周围环境温度来确定电流阈值。

8.根据权利要求6的系统，其中，所述温度模块包括：

利用恒定电流偏置的半导体器件，从而使得在所述半导体器件上得到的电压降对应于所述器件的温度，其中所述半导体器件是双极型晶体管、电阻器或二极管，并且其中所述电流阈值模块被配置成至少通过以下步骤确定电流阈值：

基于所得到的电压降确定中间电流阈值；以及

通过所述电流阈值模块的一个或更多电流镜对中间电流阈值进行镜像以生成电流阈值。

9.根据权利要求6的系统，其中，在负载激活时，流向负载的电流量在第一时间处达到最大值，其中所述器件的温度在第二时间处达到最大值，并且其中第二时间晚于第一时间。

10.根据权利要求6的系统，其中，所述器件是从由以下各项构成的组当中选择的：电力晶体管、半导体闸流管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

11.一种用于限制提供给负载的电流量的系统，其包括：

用于控制流向负载的电流量的装置；

用于确定所述用于控制的装置的温度的装置；

用于根据所述用于控制的装置的温度确定电流阈值的装置；以及

用于响应于确定流向负载的电流量大于电流阈值而通过去激活负载来调节流向负载的电流量的装置，

其中，所述用于确定电流阈值的装置被配置成至少通过以下步骤确定所述电流阈值：

基于所述用于控制的装置的温度确定中间电流阈值；

从中间电流阈值中减去起始电流以确定电流阈值，其中所述起始电流基于温度阈值；以及

如果所述用于控制的装置的温度低于温度阈值，则不去激活负载。