[发明专利]一种半导体器件瞬态电容的测试方法和系统

权利要求书

1. 一种半导体器件瞬态电容的测试系统，其特征在于，包括信号发生模块、信号放大模块、信号录制模块和计算机；

所述信号发生模块用于发出周期大于20us，幅值为100-300mv，电压变化率小于33333V/S的脉冲电压信号；

所述信号放大模块用于将被测材料输出的电流信号经放大后转化为电压信号；

所述信号录制模块用于录制信号放大模块输出的电压信号，绘制电压曲线，通过电压曲线计算瞬态电容；

所述计算机安装有电子仪器控制环境，用于控制和处理数据。

2.根据权利要求1所述的半导体器件瞬态电容的测试系统，其特征在于，所述瞬态电容的计算公式为：                                               ，其中，(dV_g)/dt 为脉冲信号电压变化率，V_out为经过放大电路后得到的电压值，A为电流放大器放大倍数。

3.根据权利要求1所述的半导体器件瞬态电容的测试系统，其特征在于，所述脉冲电压信号的波形可以是方波、梯形波或者三角波。

4.根据权利要求1所述的半导体器件瞬态电容的测试系统，其特征在于，所述信号录制模块以1ms的间隔，每帧2ms的速度进行录制。

5.根据权利要求1所述的半导体器件瞬态电容的测试系统，其特征在于，所述信号录制模块将得到的波形文件转化成含有连续电压信息的原始数据文件，通过预先设定的示波器刻度值转化为具体电压数据。

6.一种半导体器件瞬态电容的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将信号发生模块、信号放大模块和信号录制模块通过GPIB接口分别与计算机相连；将信号发生模块、信号放大模块分别与信号录制模块相连；

（2）初始化设备，包括选择电容测量量程和示波器量程，控制电流放大器的放大倍数，；设定录制时间，准备测试；

（3）控制脉冲发生器输出脉冲信号，在计算机中存入示波器测得的数据，算出具体电容值，绘制电容变化曲线，计算瞬态电容。

7.根据权利要求6所述的半导体器件瞬态电容的测试方法，其特征在于，所述瞬态电容的计算公式为：，其中，(dV_g)/dt 为脉冲信号电压变化率，V_out为经过放大电路后得到的电压值，A为电流放大器放大倍数。

8.根据权利要求6所述的半导体器件瞬态电容的测试方法，其特征在于，所述信号录制模块将得到的波形文件转化成含有连续电压信息的原始数据文件，通过预先设定的示波器刻度值转化为具体电压数据。