[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底及一第二基底；

通过一粘着层将该第一基底贴附于该第二基底上；以及

形成多个第一开口，该多个第一开口穿过该第一基底及该粘着层，且将该第一基底及该粘着层分离为多个部分。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该粘着层包括胶带或粘晶层。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，形成该多个第一开口的步骤包括进行切割制程。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之后，将包括该第一基底及该粘着层的该多个部分与该第二基底分离。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之前或之后，形成对应该多个第一开口的多个第二开口，该多个第二开口穿过该第一基底，且该多个第二开口的底部位于该粘着层内。

6.根据权利要求5所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该粘着层内的该多个第一开口与对应的该多个第二开口构成具有阶梯状侧壁的多个开口。

7.根据权利要求5所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，形成该多个第二开口的步骤包括进行切割制程。

8.根据权利要求5所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之前，在该第一基底内形成对应该多个第一开口的多个第三开口，其中该多个第三开口的底部位于该第一基底内。

9.根据权利要求8所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该第一基底内的该多个第一开口与对应的该多个第三开口构成具有阶梯状侧壁的多个开口。

10.根据权利要求8所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该多个第一开口与对应的该多个第二开口及该多个第三开口构成具有多阶梯状侧壁的多个开口。

11.根据权利要求8所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，形成该多个第三开口的步骤包括进行蚀刻制程。

12.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之前，在该第二基底内形成多个缺口，其中该多个第一开口对准于该多个缺口。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该多个第一开口与该多个缺口间隔一距离，而未与该多个缺口连通。

14.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之后，形成多个第二开口，以将该第二基底分离，其中该多个第二开口沿着该多个第一开口自该第一基底穿过该粘着层，并延伸至该第二基底内。

15.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该多个第二开口与该多个缺口连通。

16.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该第二基底具有阶梯状侧壁。

17.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一第一基底，该第一基底内具有一导电垫；以及

一粘着层，位于该第一基底上，其中一阶梯状侧壁位于该导电垫外侧，且该阶梯状侧壁的一第一部分与该第一基底的一侧壁共平面。

18.根据权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，该粘着层包括胶带或粘晶层。

19.根据权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，该阶梯状侧壁的一第二部分突出于该第一基底的该侧壁。

20.根据权利要求19所述的晶片封装体，其特征在于，该第一基底的该侧壁为阶梯状。

21.根据权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一电路板，该电路板通过该粘着层贴附至该第一基底上。

22.根据权利要求21所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一重布线层，该重布线层设置于该第一基底上，且与该导电垫电性连接，其中该重布线层延伸至该阶梯状侧壁上。

23.根据权利要求22所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层进一步延伸至该电路板上。