[发明专利]氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱有效
| 申请号： | 201510140410.0 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN105428248B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 许国明 | 申请（专利权）人： | 许国明 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36;C01G15/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾宜兰*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化铟纳米柱，其特征在于，包括：
尾部；
顶部，与所述尾部相对；以及
连接部，连接于所述尾部与所述顶部之间，其中所述顶部的平均直径大于所述连接部的平均直径以及所述尾部的平均直径，其中所述尾部靠近所述连接部的一部分的宽度朝所述连接部的方向逐渐减少，且所述尾部远离所述连接部的另一部分的宽度朝远离所述连接部的方向逐渐减少，其中所述顶部由铟构成，而所述连接部以及所述尾部分别由氧化铟构成。
2.根据权利要求1所述的氧化铟纳米柱，其特征在于，所述连接部的宽度由所述顶部往所述尾部的方向逐渐减少。
3.根据权利要求1所述的氧化铟纳米柱，其特征在于，其中各所述氧化铟纳米柱的形状为图钉状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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