[发明专利]基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法在审
申请号: | 201510141242.7 | 申请日: | 2015-03-27 |
公开(公告)号: | CN104730137A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 刘畅;俞文杰;文娇;赵清太;王曦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 超薄 绝缘 soi mosfet 生物 传感器 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种生物传感器件及其制备方法,特别是涉及一种基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法。
背景技术
生物传感器(biosensor)对生物物质敏感并将其浓度转换为电信号进行检测的仪器。是由固定化的生物敏感材料作识别元件(包括酶、抗体、抗原、微生物、细胞、组织、核酸等生物活性物质)与适当的理化换能器(如氧电极、光敏管、场效应管、压电晶体等等)及信号放大装置构成的分析工具或系统。生物传感器具有接受器与转换器的功能。对生物物质敏感并将其浓度转换为电信号进行检测的仪器。各种生物传感器有以下共同的结构:包括一种或数种相关生物活性材料(生物膜)及能把生物活性表达的信号转换为电信号的物理或化学换能器(传感器),二者组合在一起,用现代微电子和自动化仪表技术进行生物信号的再加工,构成各种可以使用的生物传感器分析装置、仪器和系统。
1967年S.J.乌普迪克等制出了第一个生物传感器葡萄糖传感器。将葡萄糖氧化酶包含在聚丙烯酰胺胶体中加以固化,再将此胶体膜固定在隔膜氧电极的尖端上,便制成了葡萄糖传感器。当改用其他的酶或微生物等固化膜,便可制得检测其对应物的其他传感器。固定感受膜的方法有直接化学结合法;高分子载体法;高分子膜结合法。现已发展了第二代生物传感器(微生物、免疫、酶免疫和细胞器传感器),研制和开发第三代生物传感器,将系统生物技术和电子技术结合起来的场效应生物传感器,90年代开启了微流控技术,生物传感器的微流控芯片集成为药物筛选与基因诊断等提供了新的技术前景。由于酶膜、线粒体电子传递系统粒子膜、微生物膜、抗原膜、抗体膜对生物物质的分子结构具有选择性识别功能,只对特定反应起催化活化作用,因此生物传感器具有非常高的选择性。缺点是生物固化膜不稳定。生物传感器涉及的是生物物质,主要用于临床诊断检查、治疗时实施监控、发酵工业、食品工业、环境和机器人等方面。
生物传感器是用生物活性材料(酶、蛋白质、DNA、抗体、抗原、生物膜等)与物理化学换能器有机结合的一门交叉学科,是发展生物技术必不可少的一种先进的检测方法与监控方法,也是物质分子水平的快速、微量分析方法。在未来21世纪知识经济发展中,生物传感器技术必将是介于信息和生物技术之间的新增长点,在国民经济中的临床诊断、工业控制、食品和药物分析(包括生物药物研究开发)、环境保护以及生物技术、生物芯片等研究中有着广泛的应用前景。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法,以实现一种具有更高的亚阈值斜率、更高的灵敏度、可以对生物分子进行高灵敏的检测的生物传感器。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器的制备方法,所述制备方法包括步骤:
1)提供一SOI衬底,所述SOI衬底包括体硅衬底、绝缘层及顶层硅,所述绝缘层的厚度为20nm~40nm;
2)利用光刻工艺及干法刻蚀工艺于所述SOI衬底表面制作出器件区域;
3)采用离子注入工艺于所述SOI衬底的顶层硅中进行离子注入,形成源区及漏区,所述源区及漏区之间为沟道区;
4)于所述SOI衬底的顶层硅表面形成介质层;
5)利用光刻工艺及干法刻蚀工艺于与所述源区及漏区对应的介质层中形成金属接触开孔,并制作金属接触电极;
6)制作电极保护层,并露出栅极传感区域,所述栅极传感区域为所述沟道区对应的区域;
7)于所述体硅衬底背面制作背栅;
8)对栅极传感区域表面进行表面活化修饰,用于对生物分子的探测。
作为本发明的基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器的制备方法的一种优选方案,步骤4)所述的介质层为氧化铝层。
作为本发明的基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器的制备方法的一种优选方案,步骤6)包括步骤:
6-1)采用PECVD方法生长一层氮化硅层;
6-2)利用光刻工艺及干法刻蚀工艺去除所述沟道区上方对应的氮化硅层,以露出栅极传感区域。
作为本发明的基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器的制备方法的一种优选方案,步骤8)采用APTES对栅极传感区域表面进行表面活化修饰。
作为本发明的基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器的制备方法的一种优选方案,步骤8)包括步骤:
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