[发明专利]一种可编程高电压源装置无效
申请号: | 201510141719.1 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN104793679A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 杨俊民 | 申请(专利权)人: | 苏州锟恩电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215153 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可编程 电压 装置 | ||
1.一种可编程高电压源装置,包括运算放大器、数字电位计、电阻,其特征在于:还包括第一MOS管、第二MOS管、二极管、电源输入端、电源输出端,所述运算放大器包括输入正极端、输入负极端、输出端,数字电位计包括信号输入端、电位计输出端,所述电源输入端与接地之间串联有数字电位计,电位计输出端与输入正极端相连接,输入负极端与电源输出端相连接,输出端与第二MOS管G极相连接,第二MOS管S极与接地相连,第一MOS管串联在电源输入端、电源输出端,第一MOS管G极与第二MOS管D极相连接,所述与第一MOS管的D极与G极之间并联,所述第一MOS管、第二MOS管的D极与S极之间均逆向并联有二极管。
2.根据权利要求1所述的一种可编程高电压源装置,其特征在于:所述运算放大器采用OP184。
3.根据权利要求1所述的一种可编程高电压源装置,其特征在于:所述数字电位计采用AD5292。
4.根据权利要求1所述的一种可编程高电压源装置,其特征在于:所述第一MOS管设置为PMOS管。
5.根据权利要求1所述的一种可编程高电压源装置,其特征在于:所述第二MOS管设置为NMOS管。
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