[发明专利]一种加工三维石英微机械陀螺音叉侧电极的方法

权利要求书

1.一种加工三维石英微机械陀螺音叉侧电极的方法，其特征在于，所述方法包括：

在石英晶片上依次形成多层金属层，采用光刻-湿法腐蚀方法刻蚀所述多层金属层及石英晶片，形成三维石英微机械陀螺音叉结构和表面电极；

以光刻胶为掩膜，对所述三维述石英微机械陀螺音叉基片进行溅射镀膜，形成侧面电极、减薄梁电极和表面电连接电极；其中，在溅射镀膜过程中，通过调整所述石英晶片与靶材的夹角来获得所述侧面电极；

剥离所述光刻胶，得到三维石英微机械陀螺音叉侧电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在石英晶片上依次形成多层金属层，采用光刻-湿法腐蚀方法刻蚀所述多层金属层及石英晶片，形成三维石英微机械陀螺音叉结构和表面电极，包括：

在石英晶片上形成依次形成铬、金、铬三层金属层，以及光刻胶；

以光刻胶为掩膜，对所述三层金属层依次进行湿法腐蚀，得到表面电极膜结构图形和表面电连接电极膜结构图形；

对所述石英晶片进行第一次湿法腐蚀，形成石英微机械陀螺音叉结构；

去除无光刻胶覆盖的金金属层和铬金属层，并对石英晶片进行第二次湿法腐蚀，形成减薄梁结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述三层金属层依次进行湿法腐蚀，包括：

采用硝酸铈铵和醋酸的混合腐蚀液腐蚀所述铬金属层，采用碘和碘化钾的饱和溶液腐蚀所述金金属层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述石英晶片进行第一次湿法腐蚀，包括：

采用氢氟酸HF和氟化铵NH4F的混合溶液对所述石英晶片进行第一次湿法腐蚀；其中，所述HF的浓度为40％，所述NH4F的浓度为50％，HF和NH4F的体积比为1:1，腐蚀温度为70℃至80℃，腐蚀时间为30小时。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对石英晶片进行第二次湿法腐蚀，包括：

采用HF和NH4F的混合溶液对所述石英晶片进行第二次湿法腐蚀，以减薄所述石英晶片；其中，所述HF的浓度为40％，所述NH4F的浓度为50％，HF和NH4F的体积比为1:2，腐蚀温度为70℃至80℃，腐蚀时间为1小时。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以光刻胶为掩膜，对所述三维述石英微机械陀螺音叉基片进行溅射镀膜，形成侧面电极、减薄梁电极和表面电连接电极，包括：

以光刻胶为掩膜，采用磁控溅射镀膜方法在石英微机械陀螺音叉基片上依次形成铬金属层和金金属层，形成侧面电极、减薄梁电极和表面电连接电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧面电极包括驱动端音叉侧面电极和检测端音叉侧面电极。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离所述光刻胶，得到三维石英微机械陀螺音叉侧电极，包括：

采用剥离液剥离所述光刻胶；对表层的铬金属层进行湿法腐蚀，得到三维石英微机械陀螺音叉侧电极。