[发明专利]芯片接合膜、切割-芯片接合膜及层叠膜有效

专利信息
申请号: 201510142546.5 申请日: 2015-03-27
公开(公告)号: CN104946147B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 木村雄大;三隅贞仁;村田修平;大西谦司;宍户雄一郎 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09J7/30 分类号: C09J7/30;C09J7/20;C09J133/08;C09J163/00;C09J11/04;B32B7/12;H01L21/683
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 葛凡
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 接合 切割 层叠
【权利要求书】:

1.一种切割-芯片接合膜,其具备:

具有基材及配置在所述基材上的粘合剂层的切割胶带、

配置在所述粘合剂层上的雾度为0%~25%的芯片接合膜,

所述基材由与所述粘合剂层接触的第1主面及与所述第1主面相对的第2主面定义两面,所述第2主面的表面粗糙度Ra为0.5μm以上,

所述基材在波长为400nm~600nm的全部区域下的光线的透射率为0%~20%,

所述芯片接合膜在拉长到200%的状态下的波长为600nm的光线的透射率比未拉长的状态下的波长为600nm的光线的透射率低5%以上。

2.如权利要求1所述的切割-芯片接合膜,其中,

所述芯片接合膜具备用于粘贴半导体晶片的粘贴部、及配置在所述粘贴部的周边的非粘贴部,

在所述非粘贴部设置有标记。

3.如权利要求2所述的切割-芯片接合膜,其中,

所述标记能够光学地进行识别。

4.如权利要求1或2所述的切割-芯片接合膜,其中,

所述第2主面的表面粗糙度Ra为0.5μm~5μm。

5.一种层叠膜,其具备隔片和切割-芯片接合膜,

所述切割-芯片接合膜具有芯片接合膜以及切割胶带,

所述芯片接合膜配置在所述隔片上且雾度为0%~25%,

所述切割胶带具备配置在所述芯片接合膜上的粘合剂层、及配置在所述粘合剂层上的基材,

所述基材由与所述粘合剂层接触的第1主面及与所述第1主面相对的第2主面定义两面,所述第2主面的表面粗糙度Ra为0.5μm以上,所述基材在波长为400nm~600nm的全部区域下的光线的透射率为0%~20%,

所述芯片接合膜在拉长到200%的状态下的波长为600nm的光线的透射率比未拉长的状态下的波长为600nm的光线的透射率低5%以上。

6.如权利要求5所述的层叠膜,其中,

所述隔片具备与所述芯片接合膜接触的层叠部、及配置在所述层叠部的外周的外周部,

在所述外周部设置有标记。

7.如权利要求5所述的层叠膜,其中,

所述隔片具备与所述芯片接合膜接触的层叠部,

在所述层叠部的边缘设置有标记。

8.如权利要求6或7所述的层叠膜,其中,

所述标记为刻痕。

9.如权利要求8所述的层叠膜,其中,

所述刻痕的深度为5μm~45μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510142546.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top