[发明专利]基于电阻加固的静态随机访问存储器的存储单元

权利要求书

1.基于电阻加固的静态随机访问存储器的存储单元，包括锁存电路和位选择电路，其特征在于，锁存电路由两个PMOS管P1和P2、两个NMOS管N1和N2、第一阻容网络和第二阻容网络构成；位选择电路由NMOS管N5和N6组成；锁存电路形成4个存储点X1、X1B、X2、X2B；

P1的漏极连接X1，其源极连接电源，其栅极连接X1B；第一阻容网络的输入端和输出端分别与X1和X2连接；N1的漏极连接X2，其源极接地，其栅极连接X2B；

P2的漏极连接X1B，其源极连接电源，其栅极连接X1；第二阻容网络的输入端和输出端分别与X1B和X2B连接；N2的漏极连接X2B，其源极接地，其栅极接X2；

N5的漏极接X2或X1，N6漏极对应接X2B或X1B；N5的源极接位线BL；N6的源极接互补位线BLB；N5和N6的栅极连接在一起，接在字线WL上；

所述第一阻容网络由R1和C1构成，所述第二阻容网络由R2和C2构成；

R1的两端分别与X1、X2连接；C1的一端与X1连接，另一端接地；

R2的两端分别与X1B、X2B连接；C2的一端与X1B连接，另一端接地。

2.如权利要求1所述的基于电阻加固的静态随机访问存储器的存储单元，其特征在于，所述第一阻容网络由始终开启以充当阻容隔离点的PMOS管P3和NMOS管组成N3组成，所述第二阻容网络由始终开启以充当阻容隔离点的PMOS管P4和NMOS管组成N4组成；

P3和N3之间形成存储点X3；P4和N4之间形成存储点X3B；

P3的源极连接X1，其漏极连接X3，其栅极接地，其衬底接电源，以保持始终开启；N3的漏极连接X3，其源极连接X2，其栅极接电源，其衬底接地，以保持始终开启；

P4的源极连接X1B，其漏极连接X3B，其栅极接地，其衬底接电源，以保持始终开启；N3的漏极连接X3B，其源极连接X2B，其栅极接电源，其衬底接地，以保持始终开启。