[发明专利]一种触控液晶显示面板及触控液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 201510142914.6 申请日: 2015-03-30
公开(公告)号: CN104714327A 公开(公告)日: 2015-06-17
发明(设计)人: 谢剑星;周诗博;黄耀立 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1343;G06F3/044
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 液晶显示 面板 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种触控液晶显示面板,其特征在于,所述触控液晶显示面板包括:

一第一基板;

一TFT阵列层,设置于所述第一基板上方;

一公共电极层,设置于所述TFT阵列层上方,所述公共电极层具有多个公共电极;

一绝缘层,设置于所述公共电极层上方,用于隔离所述公共电极层和触控层,所述绝缘层具有多个通孔;

一所述触控层,设置于所述绝缘层上,用于接收触控信号;其中,所述触控层包括多条触控线,所述触控线通过相应的所述通孔与相应的公共电极连接;

一介质层,设置于所述触控层上方,用于隔离所述触控层和像素电极层;

一所述像素电极层,设置于所述介质层上方;

一液晶层,设置于所述像素电极层上方;以及

一第二基板,设置于所述液晶层上方,所述第二基板具有黑色矩阵;

其中,所述公共电极包括:位于中心区域的多个中心公共电极以及位于边缘区域的多个周边公共电极;在相同单位面积下,所述边缘区域的周边公共电极的数量多于所述中心区域的中心公共电极的数量。

2.根据权利要求1所述的触控液晶显示面板,其特征在于,每一个所述周边公共电极的面积小于每一个所述中心公共电极的面积;每一个所述中心公共电极的面积是每一个所述周边公共电极的面积的4倍。

3.根据权利要求1所述的触控液晶显示面板,其特征在于,所述边缘区域包括:上边缘区域、下边缘区域、左边缘区域、以及右边缘区域;其中,所述上边缘区域、下边缘区域、左边缘区域、以及右边缘区域均包括多行多列的所述周边公共电极。

4.根据权利要求1所述的触控液晶显示面板,其特征在于,所述触控线一端与相应的所述公共电极电性连接,另一端与驱动电路电性连接;当所述触控液晶显示面板用于显示时,通过所述触控线给所述公共电极提供公共信号;当所述触控液晶显示面板用于触控时,通过所述触控线给所述公共电极提供驱动信号,并接收所述公共电极上的触控信号。

5.根据权利要求1所述的触控液晶显示面板,其特征在于,所述周边公共电极之间的间隙小于所述中心公共电极之间的间隙。

6.一种触控液晶显示装置,其特征在于,所述触控液晶显示装置包括触控液晶显示面板及背光模组,所述触控液晶显示面板相对于所述背光模组来设置;其中,所述触控液晶显示面板包括:

一第一基板;

一TFT阵列层,设置于所述第一基板上方;

一公共电极层,设置于所述TFT阵列层上方,所述公共电极层具有多个公共电极;

一绝缘层,设置于所述公共电极层上方,用于隔离所述公共电极层和触控层,所述绝缘层具有多个通孔;

一所述触控层,设置于所述绝缘层上,用于接收触控信号;其中,所述触控层包括多条触控线,所述触控线通过相应的所述通孔与相应的公共电极连接;

一介质层,设置于所述触控层上方,用于隔离所述触控层和像素电极层;

一所述像素电极层,设置于所述介质层上方;

一液晶层,设置于所述像素电极层上方;以及

一第二基板,设置于所述液晶层上方,所述第二基板具有黑色矩阵;

其中,所述公共电极包括:位于中心区域的多个中心公共电极以及位于边缘区域的多个周边公共电极;在相同单位面积下,所述边缘区域的周边公共电极的数量多于所述中心区域的中心公共电极的数量。

7.根据权利要求6所述的触控液晶显示装置,其特征在于,每一个所述周边公共电极的面积小于每一个所述中心公共电极的面积;每一个所述中心公共电极的面积是每一个所述周边公共电极的面积的4倍。

8.根据权利要求6所述的触控液晶显示装置,其特征在于,所述边缘区域包括:上边缘区域、下边缘区域、左边缘区域、以及右边缘区域;其中,所述上边缘区域、下边缘区域、左边缘区域、以及右边缘区域均包括多行多列的所述周边公共电极。

9.根据权利要求6所述的触控液晶显示装置,其特征在于,所述触控线一端与相应的所述公共电极电性连接,另一端与驱动电路电性连接;当所述触控液晶显示面板用于显示时,通过所述触控线给所述公共电极提供公共信号;当所述触控液晶显示面板用于触控时,通过所述触控线给所述公共电极提供驱动信号,并接收所述公共电极上的触控信号。

10.根据权利要求6所述的触控液晶显示装置,其特征在于,所述周边公共电极之间的间隙小于所述中心公共电极之间的间隙。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司;,未经深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510142914.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top