[发明专利]一种甘薯脱毒原原种薯的快速繁殖方法有效
申请号: | 201510143019.6 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN104719164B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 王晶珊;纪瑞瑞;王鹏;孔祥远;孙世孟;隋炯明;乔利仙;郭宝太 | 申请(专利权)人: | 青岛农业大学 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙)11504 | 代理人: | 宋林清 |
地址: | 266000 山东省青岛市城*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 甘薯 脱毒 原种 快速 繁殖 方法 | ||
1.一种甘薯脱毒原原种薯的快速繁殖方法,其特征在于,它包括以下步骤:
(1)在体视解剖镜下剥取带有l-2 个叶原基的茎尖,接种到添加0.1-0.2mg/L NAA 和1.0-2.0mg/L BAP 的诱导培养基上,诱导不定芽的分化,培养条件每日12-14 小时光照,2000-3000lx,培养温度为26-28℃;
(2)在诱导培养基上培养6 周后,当再生小苗长至3cm 以上时,从基部切下,转移至添加0.05-0.1mg/L NAA 和0.5-1.0mg/L BAP 的MS 培养基中得完整植株,培养条件为26-28℃,每日13 小时光照,2000-3000lx;
(3)经利用ELISA 法对再生植株进行病毒检测,脱除病毒的脱毒苗采用茎蔓切段方法快速繁殖,将脱毒苗1-2 个叶节为1 个切段,扦插入新的添加0.05-0.1mg/L NAA 和0.5-1.0mg/LBAP 的MS 培养基中,腋芽萌发,又会长成完整植株,如此繁殖速度以几何级数增长,可在培养瓶内大量繁殖脱毒苗,培养条件为26-28℃,每日13 小时光照,2000-3000lx;
(4)继代培养1 个月的试管苗,打开瓶口驯化2-3 天,将试管苗洗净培养基,分单株直接栽植于温室中,浇足水,其上加防虫网,预防昆虫传播病毒;
(5)移栽最初2 个周中午搭遮荫网,因为脱毒苗在培养瓶中的生长环境湿度大,苗娇嫩,搭遮荫网防止太阳直晒,使其逐渐适应外部环境条件;
(6)移栽3-4 周后,撒施尿素,施肥量按每亩9~11 斤,随即浇水,促进幼苗生长;
(7)当茎蔓长至40cm 以上,剪切茎蔓扦插于温室或塑料大棚中,进行脱毒苗的再繁殖,塑料大棚两头加防虫网,栽植株间距20~30cm,每次剪蔓后,撒施尿素,施肥量按每亩9~11 斤,随即浇水;
(8)剪切温室或塑料大棚中繁殖的脱毒苗茎蔓,栽植于大田原原种繁殖地,行距60-80cm,株距18-25cm,原原种繁殖地选择三年以上没种过带毒甘薯的地块,并且远离普通甘薯种植地块500米以上,可利用麦茬地作为原原种繁殖地;
(9)原原种繁殖地的脱毒苗长出分枝后,从其上剪蔓,栽植于大田原原种繁殖地再繁殖,行距60-80cm,株距18-25cm,7月以后,每3天剪一茬蔓,反复剪蔓繁殖,一直栽植到7月下旬-8月上旬;
(10)塑料大棚中繁殖的脱毒苗继续剪蔓栽植大田原原种繁殖地,也一直可栽植至7 月下旬-8 月上旬;秋天第一次下霜前收获种薯,可获得大量脱毒原原种薯。
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