[发明专利]接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 201510144276.1 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104733380B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 黄海;黄君;盖晨光 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触孔 介质层 圆角 二氧化硅层 深槽 封口 工艺过程 降低器件 钨填充 圆角化 顶角 圆化 去除 填充 | ||
1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：
提供一待制作接触孔的半导体器件的衬底；
在所述衬底上依次形成CESL层、SiO
图形化所述光刻胶以在待制作接触孔的位置形成光刻胶凹槽；
主刻蚀，刻蚀所述衬底并停留在所述CESL层，形成接触孔深槽；
去除残留的光刻胶、抗反射层和APF层；
采用等离子体轰击所述接触孔深槽顶部的介质层顶角，以在介质层的拐角处形成圆角；
刻蚀去除接触孔深槽底部的CESL层以及顶部的介质层，圆角转移至所述SiO
2.根据权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于：所述介质层为SiN、SiCN或SiCO。
3.根据权利要求2所述的接触孔的形成方法，其特征在于：采用等离子体轰击所述接触孔深槽顶部的介质层顶角包括利用含有Ar的等离子体轰击所述介质层顶角。
4.根据权利要求3所述的接触孔的形成方法，其特征在于：所述等离子体包括Ar和CF
5.根据权利要求4所述的接触孔的形成方法，其特征在于：采用等离子体轰击所述接触孔深槽顶部的介质层顶角过程中的反应压力为30-50mt，功率为200-300W。
6.根据权利要求1至5任一项所述的接触孔的形成方法，其特征在于：所述抗反射层包括上层NF-DARC层和下层BARC层。
7.根据权利要求1至5任一项所述的接触孔的形成方法，其特征在于：所述形成方法还包括在形成的具有圆角顶部的接触孔内填充钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
