[发明专利]功率半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201510144340.6 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106158955A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 郑大燮;刘博;司徒道海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/40;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 万铁占;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【说明书】：
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